The light-emitting device according to one embodiment comprises: a light-emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer formed beneath the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer formed beneath the active layer; a reflective electrode arranged beneath the light-emitting structure, and having a first region arranged beneath the second conductive semiconductor layer and a second region extending from the first region and penetrating through the second conductive semiconductor layer and the active layer; and an electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer.
실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 배치된 반사전극; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 을 포함한다.patents-wipo patents-wipo