field-effect transistor oor Koreaans

field-effect transistor

naamwoord

A type of transistor in which the flow of current between the source and the drain is modulated by the electric field around the gate electrode. FETs are used as amplifiers, oscillators, and switches and are characterized by an extremely high input impedance (resistance) that makes them particularly suitable for amplification of very small signals. Types of FETs include the junction FET and the metal-oxide semiconductor FET (MOSFET).

Vertalings in die woordeboek Engels - Koreaans

장효과 트랜지스터

transistor that uses an electric field to control the electrical behaviour of the device. FETs are also known as unipolar transistors since they involve single-carrier-type operation

Soortgelyke frases

organic field-effect transistor
유기 전계효과 트랜지스터

voorbeelde

Disclosed are a field effect transistor (FET) ion sensor and a system using the same.
FET 이온센서 및 이를 이용한 시스템이 개시된다.

In 2003, a German group reported the first organic light-emitting field-effect transistor (OLET).
2003년에, 독일 그룹은 세계최초로 유기 발광 전계효과 트랜지스터 (OLET)를 발표했다.

Disclosed is a magnetic field effect transistor.
자계 효과 트랜지스터가 개시된다. 자계 효과 트랜지스터는 전류 제어부, 및 자계 인가부를 포함한다.

The magnetic field effect transistor comprises: a current control part; and a magnetic-field applying part.
전류 제어부는 복수의 전극, 및 복수의 전극 사이에 위치하며 외부에서 인가되는 자계에 상기 전극 사이에 흐르는 전류량을 변화시키는 전류 소통 물질 영역을 포함하고, 자계 인가부는 외부 입력에 따라 변화하는 미리 설정된 물질의 자화 상태에서 발생하는 자계를 전류 소통 물질 영역에 인가한다.

Magnetic field effect transistor
자계 효과 트랜지스터

Field-effect transistor using graphene oxide and method for manufacturing same
그라핀 옥사이드를 이용한 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

Field effect transistor ion sensor and system using same
전계효과 트랜지스터 이온센서 및 이를 이용한 시스템

A power MOSFET is a specific type of metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designed to handle significant power levels.
전력 모스펫 (Power MOSFET)은 큰 전력을 처리하기위해 설계된 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)의 특정 종류이다.

Such a nanofiber electrode can be used for a field effect transistor, an organic light emitting diode, and an organic solar cell.
또한, 제조공정이 빠르고 간소화된 나노섬유 전극 어레이의 제조방법을 제공할 수 있다. 이러한 나노 전극섬유를 전계 효과 트랜지스터, 유기 발광다이오드 및 유기 태양전지 등의 전극으로 활용할 수 있다.

Field effect transistors: Heterojunctions are used in high electron mobility transistors (HEMT) which can operate at significantly higher frequencies (over 500 GHz).
전계 효과 트랜지스터 : 이형 접합은 상당히 높은 주파수 (500GHz 이상)에서 작동할 수 있는 고 전자 이동성 트랜지스터(HEMT)에 사용된다.

Nanovesicle comprising heterodimer g-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor
이종이합체 G 단백질 연결 수용체를 포함하는 나노베지클, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 전계효과 트랜지스터 기반 미각 센서, 이의 제조 방법

Transparent ion sensor chip using a field-effect-transistor-type signal converter in which an extended gate electrode is formed, and method for manufacturing the sensor chip
연장된 게이트 전극이 형성된 전계효과 트랜지스터형 신호변환기를 이용한 투명성 이온 감지 센서칩 및 이의 제조방법

The field-effect transistor of the present invention can be manufactured on a flexible substrate, whereas a conventional FET using silicon material can be manufactured only on a hard substrate.
본 발명은 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드를 포함하는 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서 기판, 기판상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성된 유전체층, 유전체층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극, 및 소스 전극과 드레인 전극을 잇는 채널층으로써, 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하며, 기존의 실리콘 물질을 이용한 FET가 단단한 기판 상에만 제작이 가능했지만 본 발명은 유연한 기판상에 제작이 가능한 특징이 있다.

According to the present invention, an occupied area is reduced and an integration of circuits is improved by decreasing the number of elements for configuring the delay cells using the multiple independent gate field effect transistors.
이러한 본 발명에 의하면 다중 독립 게이트 전계-효과 트랜지스터를 이용하여 지연 셀을 구성하는 소자의 수를 줄임으로써, 차지하는 면적이 감소되고 회로의 집적도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

The present invention relates to a nanovesicle comprising a heterodimer G-protein coupled receptor, a method for preparing the nanovesicle, a field effect transistor-based taste sensor comprising the nanovesicle, and a method for manufacturing the taste sensor.
본 발명은 이종이합체 G 단백질 연결 수용체를 포함하는 나노베지클, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전계효과 트랜지스터 기반 미각 센서, 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이종이합체 G 단백질 연결 수용체를 포함하는 나노베지클로 기능화된 전계효과 트랜지스터 및 미각 센서는 이종이합체 G 단백질 연결 수용체 및 이를 포함하는 나노베지클을 이용하여, 민감도 및 선택도가 우수하고 실시간으로 고특이적으로 단맛 물질을 검출할 수 있다.

The present invention relates to a battery protection circuit package advantageous for integration and miniaturization and provides a battery protection circuit package which can be electrically connected to an electrode terminal of a battery bare cell and is provided with: a substrate; an NFC antenna structure, which is mounted on the substrate and has an NFC antenna embedded therein; and a battery protection circuit element, which is disposed on the substrate and comprises a protection IC, a field effect transistor (FET), and at least one passive element.
본 발명은 집적화 및 소형화에 유리한 배터리 보호회로 패키지에 관한 것으로서, 배터리 보호회로 패키지는 배터리 베어셀의 전극단자와 전기적으로 연결될 수 있으며, 기판; 상기 기판 상에 실장되며, NFC 안테나가 내장된, NFC 안테나구조체; 및 상기 기판 상에 배치되며, 프로텍션 IC, 전계효과 트랜지스터(FET) 및 적어도 하나 이상의 수동소자를 포함하는, 배터리 보호회로 소자;를 구비하는 배터리 보호회로 패키지를 제공한다.

According to one embodiment of the invention, the present invention relates to a malfunction diagnostic circuit of a cell balancing circuit and, more specifically, to a malfunction diagnostic circuit of a cell balancing circuit, comprising: a battery pack unit comprising one or more battery cells; a balancing circuit unit which is connected to the battery pack unit so as to adjust a deviation of the battery cells, and which comprises a first field effect transistor (FET), which is a junction FET, and a second FET, which is a MOSFET; and a malfunction diagnosis unit which is connected to the balancing circuit part so as to determine whether or not the first FET of the balancing circuit part is malfunctioning, and which comprises a current sensing resistor and an AND gate.
본 발명의 일실시예에 따른 셀 밸런싱 회로의 고장 진단 회로에 관한 것으로, 상세하게는 적어도 하나 이상의 배터리 셀로 이루어지는 배터리 팩 부, 상기 배터리 팩 부에 연결되어 상기 배터리 셀들의 편차를 조정하며, 접합형 전계 효과 트랜지스터(FET, Field Effect Transistor)인 제 1 FET 및 MOS형 전계 효과 트랜지스터인 제 2 FET를 포함하는 밸런싱 회로부 및 상기 밸런싱 회로부에 연결되어 상기 밸런싱 회로부의 제 1 FET의 고장 여부를 판단하며, 전류 센싱용 저항 및 AND 게이트(Gate)를 포함하는 고장 진단부를 포함하여 구성되는 셀 밸런싱 회로의 고장 진단 회로다.

Automated wafer-level tests with built-in routines for bipolar junction transistor (BJT), field-effect transistor (FET), diode, resister, and circuit evaluations.
양극성 접합 트랜지스터(BJT), 전계 효과 트랜지스터(FET), 다이오드, 레지스터, 회로 평가를 위한 내장형 루틴이 있는 자동화된 웨이퍼 레벨 테스트