cascode oor Engels

cascode

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cascode

Un amplificateur peut comprendre un premier circuit cascode comprenant un premier transistor et un second transistor.
An amplifier may include a first cascode circuit including a first transistor and a second transistor.

cascode amplifier

Le second amplificateur cascode et le premier amplificateur cascode partagent un élément de transistor d'entrée.
The second cascode amplifier and the first cascode amplifier share an input transistor element.

Soortgelyke frases

montage cascode
cascode amplifier

dispositif cascode
cascode device

récepteur optique cascode
cascode optical receiver

structure cascode
cascode structure

amplificateur cascode
cascode · cascode amplifier

voorbeelde

De préférence, l'amplificateur de puissance (6) comprend des chemins séparés pour les signaux de modulation d'amplitude et les signaux de modulation de phase, par ex. implémentés sous forme de couplage de cascode différentiel avec une étape de mixage.
Preferably, the power amplifier (6) includes separated paths for amplitude modulation signals and phase modulation signals, e.g. implemented as a differential cascode coupling with a mixer stage.

Les bornes de base de la paire (140, 150) cascode sont interconnectées par rapport à la paire (110, 120) différentielle de manière à ce que les courants de base c.a. de la paire (110, 120) différentielle et la paire (140, 150) de cascodes d'intercompensent.
Base terminals of the cascode pair (140, 150) are AC cross-coupled with respect to the differential pair (110, 120) such that AC base currents of the differential pair (110, 120) and the cascode pair (140, 150) are cross-compensated.

L'invention concerne un circuit amplificateur à amplification réglable comprenant plusieurs amplificateurs différenciateurs (4) montés en parallèle et raccordés à une cascode (5) commune.
The invention relates to an amplifying circuit with adjustable amplification, which comprises a plurality of differential amplifiers (4) connected in parallel and connected to a common cascode (5).

Amplificateur cascode à circuit de protection
Cascode amplifier with protection circuitry

Cascode à rétroaction adaptative
Adaptive feedback cascode

Le premier trajet de gain comprend un amplificateur cascode différentiel avec contre-réaction de source d'inductance.
The first gain path includes a differential cascode amplifier with inductor source degeneration.

La présente invention concerne un dispositif redresseur haute tension ayant une résistance directe faible et un temps de commutation court, et étant formé d'une structure haute tension connectée en une configuration cascode avec une structure basse tension.
A high voltage rectifier device exhibiting low forward resistance and fast switching time formed of a high voltage structure connected in a cascode configuration with a low voltage structure.

L'invention concerne un amplificateur d'adaptation d'impédance amélioré sous forme de circuit intégré monobloc, comprenant un étage amplificateur inverseur cascode présentant au moins une bobine d'inductance de relèvement (64, 68, 114, 118, 152, 157, 172, 177) suivie d'un ou plusieurs étages amplificateurs. Le gain de l'amplificateur d'adaptation d'impédance est régulé par le réglage du courant continu circulant à travers le premier étage inverseur cascode du transistor (65, 115, 153, 173) de façon à réguler sa transconductance.
Improved transimpedance amplifier in monolithic integrated circuit form, comprising an inverting cascode amplifier stage having at least one peaking inductor (64, 68, 114, 118, 152, 157, 172, 177) followed by one or more amplification stages, where the transimpedance amplifier gain is controlled by means of the adjustment of the D.C. current flowing through the first transistor (65, 115, 153, 173) cascode inverter stage so as to regulate its transconductance.

La présente invention concerne des circuits commutateurs de cascode qui incluent un dispositif semi-conducteur normalement actif, un dispositif semi-conducteur normalement inactif, et un pilote de grille.
Disclosed herein are cascode switching circuits that include a normally-on semiconductor device, a normally-off semiconductor device, and a gate driver.

Selon une réalisation principale, l'amplificateur est construit autour d'un amplificateur cascode standard.
In an exemplary embodiment, the present power amplifier is based on the well-known cascode amplifier.

Procede et dispositif pour l'equilibrage de la perte de puissance de plusieurs circuits de cascodes montes en parallele
Method and device for balancing the power loss in several cascode circuits connected in parallel

Selon l'invention, on peut mettre en oeuvre un comparateur différentiel double en utilisant un premier étage de comparateur comprenant un montage cascode plié, doté de bornes d'entrée à grille flottante et d'une sortie à terminaison unique, fixée en niveau, et en utilisant un étage d'entrée, couplé de manière capacitive et destiné à transférer une somme pondérée des signaux d'entrée aux portes flottantes du premier étage du comparateur.
A double differential comparator can be efficiently implemented utilizing a first comparator stage having a folded cascode with floating gate input terminals and clamped single-ended output, and a capacitively coupled input stage for transferring a weighted sum of input signals to the floating gates of the first comparator stage.

L'invention se rapporte à un amplificateur d'adaptation d'impédance amélioré (10) ayant une largeur de bande étendue, un fonctionnement stable et un grand gain où est inclus un étage transistor d'entrée à cascode.
An improved transimpedance amplifier (10) having a wide bandwidth, stable operation and high gain including a cascode input transistor stage.

Le premier transistor d'entrée du premier étage cascode peut présenter une configuration à émetteur commun, le second transistor, de sortie pouvant présenter une configuration à base commune.
The first, input transistor of the first cascode stage may have a common-emitter configuration, and the second, output transistor may have a common-base configuration.

L'invention concerne un amplificateur à transconductance à gain variable équipé d'un transistor d'amplification (Tr1) relié à une borne d'entrée, un transistor cascode (Tr2) dont la source est reliée au drain du transistor d'amplification et dont le drain est relié à une borne de sortie, et un circuit de commutation (14) qui peut commuter entre la connexion et la déconnexion à un potentiel fixe du nœud auquel sont reliés le transistor d'amplification et le transistor cascode.
A variable gain transconductance amplifier is provided with an amplifying transistor (Tr1) connected to an input terminal, a cascode transistor (Tr2) having the source thereof connected to the drain of the amplifying transistor and the drain thereof connected to an output terminal, and a switching circuit (14) that can switch between connecting and not connecting, to a fixed potential, the node at which the amplifying transistor and the cascode transistor are connected.

Ledit générateur de courant RF (130) génère un courant d'injection RF différentiel, tandis que l'unité de transistors de commutation (120) amplifie le courant d'injection pour générer un courant d'injection amplifié sur le nœud large bande du circuit amplificateur (100) et l'unité de transistors montés en cascode (110) amplifie davantage le courant d'injection pour générer le signal amplifié voulu à la sortie du circuit amplificateur (100).
RF current generator (130) generates a differential RF injection current, while switching transistor unit (120) amplifies the injection current to generate an amplified injection current at the wideband node of the amplifier circuit (100) and the cascode transistor unit (110) further amplifies the injection current to generate the desired amplified signal at the output of the amplifier circuit (100).

Un circuit électronique à titre d'exemple comprend un MOSFET et un JFET à double grille dans une configuration cascode.
An exemplary electronic circuit comprises a MOSFET and a dual-gate JFET in a cascode configuration.

Dans un mode de réalisation de la présente invention, un transistor cascode à portes fusionnées comprend un élément semi-conducteur, une électrode d'alimentation connectée électriquement à une surface supérieure de l'élément semi-conducteur, une électrode drain connectée électriquement à la surface supérieure de l'élément semi-conducteur et espacée latéralement de l'électrode d'alimentation, une première porte disposée entre l'électrode d'alimentation et l'électrode drain et couplée de façon capacitive à l'élément semi-conducteur pour former une première partie du transistor, et une seconde porte adjacente à la première porte et disposée entre l'électrode d'alimentation et l'électrode drain pour former une seconde partie du transistor, la seconde porte étant également couplée de façon capacitive à l'élément semi-conducteur.
A merged gate transistor in accordance with an embodiment of the present invention includes a semiconductor element, a supply electrode electrically connected to a top surface of the semiconductor element, drain electrode electrically connected to the top surface of the semiconductor element and spaced laterally away from the supply electrode, a first gate positioned between the supply electrode and the drain electrode and capacitively coupled to the semiconductor element to form a first portion of the transistor and a second gate positioned adjacent to the first gate, and between the supply electrode and the drain electrode to form a second portion of the transistor, wherein the second gate is also capacitively coupled to the semiconductor element.

Le transistor ajouté réduit l'ionisation par choc dans le transistor cascode.
The added transistor reduces impact ionization in the cascode transistor.

L'amplificateur de détection de courant comprend un réseau de polarisation CC renfermant un filtre cascode.
The current sensing amplifier includes a DC bias network that includes a cascode filter.

Le transistor cascode MC connecté entre la sortie d'une photodiode DPH et le reste de ce circuit de lecture (100) peut fonctionner pour découpler la capacité parasite CPH de la photodiode DPH du reste du circuit de lecture (100) et, en particulier, la capacité du condensateur d'intégration CINT.
The cascode transistor MC connected between the output of a photodiode DPH and the rest of said readout circuit 100 is operable to decouple the parasitic capacitance CPH of the photodiode DPH from the rest of the readout circuit 100, and in particular the capacitance of the integrating capacitor CINT.

Un préamplificateur A1 ro a ses entrées connectées aux sorties de S2 et ses sorties connectées aux grilles d'une paire de TEC cascodes via un réseau de commutation S3 qui fonctionne avec le signal d'horloge CLK2S, le drain d'un TEC cascode étant connecté à Iin et le drain de l'autre TEC fournissant le courant de sortie Iout du miroir.
An ro boost amplifier Al has its inputs connected to the outputs of S2 and its outputs connected to the gates of a pair of cascode FETs via a switching network S3 which, is operated with clock signal CLK2S, with the drain of one cascode FET connected to Iin and the drain of the other providing the mirror's output Iout Sl is clocked to reduce mismatch errors and S2 and S3 are clocked to reduce errors due to Al's offset voltage, with CLK2 and CLK2S shifted with respect to CLK1 to reduce errors due to parasitic capacitances.

Dans une première forme de réalisation, chaque structure cascode comprend trois portes montées en série, les portes étant commandées par le signal d'horloge, une inversion retardée du signal d'horloge et l'état des données ou son inverse.
In a first embodiment, each cascode structure includes three gates (T1, T3, T5, T2, T4, T6) in series, the gates being controlled by the clock signal, a delayed inversion of the clock signal, and the data state or its inverse.

Un signal d'entrée numérique appliqué à un noeud d'entrée génère une sortie numérique correspondante dans un circuit ayant au moins deux dispositifs MOS en connexion cascode l'un avec l'autre.
A digital input signal applied to an input node generates a corresponding digital output in a circuit with two or more MOS devices in cascode connection with each other.

Ledit circuit comprend une paire (AB) d'étages d'entrée d'amplificateur CMOS à cascodes pliées (30), une paire d'étages de sortie bipolaires (30) comportant des transistors NPN verticaux (Q10, Q11) et deux transistors de détection PMOS (M16, M17) pour chaque étage de sortie permettant de diminuer le courant de croisement produit lors de la commutation des étages de sortie.
The circuit is comprised of a pair (AB) of folded cascode CMOS amplifier input stages (20), a pair of bipolar output stages (30) containing vertical NPN transistors (Q10, Q11), and 2 PMOS sense transistors (M16, M17) for each output stage for reducing the crossover current which occurs when switching output stages.