비휘발성 메모리 oor Engels

비휘발성 메모리

Vertalings in die woordeboek Koreaans - Engels

non-volatile random-access memory

random-access memory that retains its information when power is turned off (non-volatile),in contrast to dynamic random-access memory (DRAM) and static random-access memory (SRAM), which both maintain data only for as long as power is applied

nonvolatile memory

A storage system that does not lose data when power is removed from it.

본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다.
The present invention relates to a nonvolatile memory device and to a method for manufacturing same.

voorbeelde

비휘발성 메모리 소자
Non-volatile memory device

비휘발성 메모리 소자, 전자제어 시스템, 및 비휘발성 메모리 소자의 동작방법
Non-volatile memory element, electronic control system, and method for operating non-volatile memory element

본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다.
The present invention relates to a nonvolatile memory device and to a method for manufacturing same.

3차원 게이트를 갖는 멀티 비트 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법
Multi-bit nonvolatile memory device having three-dimensional gate and fabrication method thereof

비휘발성 메모리 시스템
Nonvolatile memory system

본 발명은 비휘발성 메모리 및 그 제조 방법을 공개한다.
A non-volatile memory and a method for manufacturing the same are disclosed.

문턱전압 스위칭 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
Nonvolatile memory device using a threshold voltage switching material and method for manufacturing same

이에 의해, PRAM 등 쓰기/읽기 횟수가 제한적인 비휘발성 메모리를 보다 효과적으로 운용할 수 있게 된다.
As a result, the non-volatile memory, which has a limited number of writing/reading, such as the PRAM, can be operated more effectively.

본 발명은 다수의 휴대용 비휘발성 메모리를 이용하여 호스트의 저장장치로 전환하여 사용할 수 있는 디스크 모듈을 제안한다.
Provided is a disk module which can be converted and used as a storage device for a host by using a multiplicity of portable non-volatile memories.

비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리를 포함하는 메모리 시스템 및 그 시스템을 이용한 처리 방법
Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

비휘발성 메모리 시스템 및 이를 프로그램하는 방법
Non-volatile memory system and method of programming for same

나노복합체 기반 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법
Nanocomposite-based non-volatile memory device and method for manufacturing same

비휘발성 메모리 및 그 제조 방법
Non-volatile memory and method for manufacturing same

이에, 비휘발성 메모리 시스템은 고속으로 동작할 수 있고, 서든 파워 오프 발생시 데이터 유실을 방지할 수 있다.
Thus, the non-volatile memory system may quickly operate and may prevent data loss when a sudden power-off occurs.

컨택 영역을 구성하는 다수의 단차막들은 제1 방향과 다른 제2 방향으로 단차를 가지고 형성된다. 또한, 활성영역이 정렬되는 방향과 실질적으로 수직한 방향으로 단차가 형성되는 비휘발성 메모리의 제조방법이 개시된다.
A contact region connected with a word line is formed to be extended in a first direction from a cell region.

멀티 펑션 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법
Multifunction nonvolatile fusion memory device and fabrication method thereof

NVM 익스프레스(NVM Express, NVMe) 또는 비휘발성 메모리 호스트 컨트롤러 인터페이스 사양(Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specification, NVMHCI)은 PCI 익스프레스(PCIe) 버스에 부착된 비휘발성 기억 매체 접근을 위한 논리 장치 인터페이스 사양이다.
NVM Express (NVMe) or Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specification (NVMHCIS) is an open logical device interface specification for accessing non-volatile storage media attached via a PCI Express (PCIe) bus.

멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법
Multifunction 4-bit/1-cell nonvolatile fusion memory device and fabrication method thereof

또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링 방식을 이용하지 않으므로, 전하 포획층과 기판 사이의 절연막을 두께를 충분히 두껍게 형성하여 10년 이상의 데이터 보유 특성을 확보할 수 있으므로, 기존의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비하여 신뢰성이 높다.
Moreover, since the nonvolatile memory device of the present invention does not use a tunneling method during programming, data retention for a minimum of 10 years may be obtained by forming the insulation layer to a sufficient thickness between the charge trap layer and the substrate.

자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다.
Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a non-volatile random-access memory technology available today that began its development in mid-1980s.

본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
In the polymer memory element according to the present invention, the photocrosslinking polyimide polymer is used as an active layer.

비휘발성 저항 변화 메모리 소자
Nonvolatile resistance change ram

본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 제 1 및 제 2 전극과, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 구비되고, 도너 물질과 억셉터 물질을 포함하는 유기물층 및 상기 유기물층 내에 마련된 적어도 한층의 나노 크리스탈층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자를 제공한다. 이와 같이 본 발명은 도너 물질과 억셉터 물질을 포함하는 유기물층 사이에 나노 크리스탈층이 형성된 메모리 소자를 제작하여 나노 크리스탈에 전하 충전 확률을 증대시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
In this manner, the present invention enables the manufacture of a memory device produced with a crystal layer formed in the organic layer and including donor material and acceptor material, to increase the electric charge probability of the nanocrystals and to improve the reliability of the device.

본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다.
Accordingly, the nonvolatile memory device of the present invention does not use tunneling during programming and changes the resistance state of the threshold voltage switching material into a low resistance state in order to run a program.

비휘발성 메모리 시스템은 제 1 비휘발성 메모리 장치, 제 1 비휘발성 메모리 장치에 비하여 저속으로 쓰기 동작을 수행하고 제 1 비휘발성 메모리 장치와 이종인 적어도 하나 이상의 제 2 비휘발성 메모리 장치, 및 쓰기 명령 신호에 기초하여 제 1 및 제 2 비휘발성 메모리 장치들이 호스트로부터 입력되는 데이터에 대한 쓰기 동작을 동시에 수행하도록 제어하고, 제 1 및 제 2 비휘발성 메모리 장치들 중에서 어느 하나가 쓰기 동작을 완료하면, 호스트에 쓰기 완료 신호를 출력하는 컨트롤러를 포함한다.
A non-volatile memory system includes a first non-volatile memory device, at least one second non-volatile memory device that more slowly performs a write operation than the first non-volatile memory and is a different type from that of the first non-volatile memory device, and a controller that controls the first and second non-volatile memory devices on the basis of write command signals to enable data input from a host to be simultaneously written and outputs a write completion signal to the host if any one of the first and second non-volatile memories completes its write operation.