우수한 광 산란특성을 확보함과 더불어, 3-마스크 공정의 도입에 따른 마스크 공정 수의 절감 을 통해 생산 단가 절감 및 생산 수율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제 조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 다른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물층, n형 질 화물층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 P형 질화물층, P형 질화물층 상에 형성된 전 류 차단패턴, P형 질화물층 및 전류 차단패턴의 상측을 덮도록 형성되며 마주보는 양측 가장자 리가 대칭 구조의 테이퍼 단면을 갖는 투명 도전패턴, 및 전류 차단패턴과 대응되는 위치에 배 치되며 투명도전패턴과 직접 접촉되도록 형성된 P-전극패드을포함하는 것을특징으로 한다.
Disclosed are a nitride semiconductor light-emitting device that may reduce production cost and enhance production yield through a reduction in the number of mask processes due to the introduction of a three-mask process, in addition to ensuring excellent light scattering characteristics, and a method of manufacturing same.patents-wipo patents-wipo