MRAM oor Engels

MRAM

Vertalings in die woordeboek Nederlands - Engels

Magnetoresistive Random Access Memory

voorbeelde

Computergeheugens en Geheugenbouwstenen,DRAM, SRAM, Dual Port RAM, EEPROM, EPROM (elektrisch programmeerbaar leesgeheugen), Flashgeheugen, Monturen,PROM, MRAM, multichipmodules
Computer memories and memory components, DRAM, SRAM, Dual Port RAM, EEPROM, EPROM, Flash memory, FRAM, PROM, MRAM, multi chip modules

DEEL 5 Een tweede leven Watan zama za da watan yam Ka da watan da para mram khushala yama!
PART FIVE A Second Life Watan zama za da watan yam Ka da watan da para mram khushala yama!

Deze magnetische ringen worden beschouwd als geheugenelementen in apparaten voor gegevensopslag op lange termijn en magnetisch directe toegankelijkheidsgeheugen (MRAM).
These magnetic rings are being considered as memory elements in devices for long-term data storage and magnetic random-access memory (MRAM).

De systemen MRAM zijn momenteel streng onder-getemperde systemen.
MRAM systems are currently severely under-damped systems.

Het gaat om het controleren van het belangrijkste element van hardeschijfkoppen en magnetisch werkgeheugen (MRAM), essentiële onderdelen van elke computer, tablet of smartphone.
It is all about checking the most vital element of hard disk heads and the magnetic working memory (MRAM), which are essential parts of computers, tablets and smartphones.

Naast deze trend tot schaalverkleining is er ook nood aan nieuwe types geheugens. An Steegen: “STT-MRAM is een voorbeeld van zo’n opkomend geheugenconcept. Dit type geheugen zou wel eens de eerste ‘embedded’ niet-vluchtige geheugentechnologie kunnen worden.
Besides this scaling trend, existing memories that make up today’s memory hierarchy are challenged with the need for new types of memory. An Steegen: “STT-MRAM, for example, is an emerging memory concept that has the potential to become the first embedded non-volatile memory technology on advanced logic nodes for advanced applications.

Samen met de industrie werken we aan de geheugens van morgen: high speed embedded on-chip cache geheugens zoals SRAM & STT-MRAM, geschaalde high speed dynamic random access geheugens (DRAM), nieuwe storage-class geheugens voor grootschalige data access in korte tijd, zoals RRAM en NAND Flash geheugencellen voor high performance en mobile devices.
Together with industry leaders we develop future memory technologies. Our innovations cover high speed embedded on-chip cache memory such as SRAM & STT-MRAM, scaled high speed dynamic random access memory (DRAM) devices, new storage-class memories for massive data access in short time, such as RRAM and improved NAND Flash memory devices for high performance and mobile devices.

Aan de DRAM-kant van de DRAM-NAND-kloof kunnen snelle MRAM-geheugens een interessant en schaalbaar alternatief bieden voor het geheugenelement.
Close to the DRAM side of the DRAM-NAND gap, high-density, high-speed MRAM offers an interesting, scalable alternative for the memory element.

Na 2 jaar als MRAM ets-ingenieur, werd hij onderzoeker bij imec, gespecialiseerd in back-end-of-line (BEOL) droog-ets-processing.
After 2 years as an MRAM etch engineer, he became researcher at imec, specialized in back-end-of-line (BEOL) dry etch processing.

Zo zou bv. magnetoresistive RAM (MRAM) gebruikt kunnen worden voor het embedded cachegeheugen, sterk geschaalde FinFETs voor de meest performante centrale verwerkingseenheden (CPU cores) en spin-logische transistoren voor de ultralaag-vermogen functies.
For example, magnetoresistive random access memory (MRAM) could be used for embedded cache memory, aggressively scaled FinFETs for the highest performance CPU cores, and spin logic devices for ultra-low-power functions.

Flashgeheugen en moderner niet-vluchtig geheugen op WikiPedia; vooral interessant zijn FeRAM, MRAM, NRAM, PRAM enzovoort.
Flash memory and modern non-volatile memory on WikiPedia; especially interesting are FeRAM, MRAM, NRAM, PRAM, etc.

Het is gebaseerd op (1) het veranderen van het algoritme in de deployment fase naar binarisatie, (2) het niet-vluchtige geheugen op de chip brengen (‘compute in memory’), en (3) ons 14nm technologieplatform met MRAM-type geheugens gebruiken.
It is based on (1) switching the algorithm in the deployment phase to binarization, (2) moving the non-volatile memory from off chip to on chip (compute in memory), and (3) using our 14nm technology platform with MRAM type of memories.

In deze rol definieert hij de strategie en visie voor RRAM, DRAM-MIMCAP en STT-MRAM programma’s, voor zowel stand-alone als ingebedde toepassingen.
In this role, he defines the strategy and vision for RRAM, DRAM-MIMCAP and STT-MRAM programs both for stand-alone and embedded applications.

Het belangrijkste nadeel van MRAM is zijn lage integratiedichtheid.
The main drawback of MRAM is its low integration density.

Imec kon onlangs aantonen dat het mogelijk is om state-of-the-art SOT-MRAM geheugens op 300mm wafers te maken door gebruik te maken van standaard chipfabricage-processen.
Imec recently demonstrated the ability to fabricate state-of-the-art SOT-MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes.

Deze technologieën zijn: PCRAM, ReRAM, FERAM, en MRAM.
These technologies are: PCRAM, ReRAM, FERAM, and MRAM.

Met een MRAM-variant, de spin orbit torque MRAM (SOT-MRAM), kunnen deze uitdagingen wel worden aangepakt.
An MRAM variant, the spin orbit torque MRAM (SOT-MRAM), can overcome these issues.

Software vergelijkbaar met MRAM-Info toolbar:
Software similar to OLED-Info toolbar:

Recent hebben we een erg performante loodrechte magnetische tunnel-junctie kunnen aantonen met een afmeting van slechts 8nm. Op basis hiervan stelden we ook een produceerbare oplossing voor een schaalbaar SST-MRAM array voor.”
Recently, we have been able to demonstrate a high-performance perpendicular magnetic tunnel junction device as small as 8nm, combined with a manufacturable solution for a highly scalable STT-MRAM array.”

Deze betrouwbaarheidsproblemen in combinatie met een toenemend energieverbruik bij sub-ns schakelsnelheden maken STT-MRAM-geheugens minder geschikt om de snellere L1/L2 cache SRAM-geheugens te vervangen.
These reliability issues in combination with increased energy at sub-ns switching speeds make STT-MRAM memories unsuitable for replacing the faster L1/L2 cache SRAM memories.

We verwachten ook veel van onze magnetische geheugens zoals de spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM) om het L3 cachegeheugen te vervangen, en onze zeer snelle spin-orbit torque MRAM (SOT-MRAM) die mogelijk L1 en L2 SRAM cachegeheugens kan vervangen.
Our magnetic memories are promising as well, including the spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM) for replacing L3 cache memory, and our ultrafast spin-orbit torque MRAM (SOT-MRAM) to potentially replace L1 and L2 SRAM cache memory.

Hoe het Magnetische Kobalt Nanocrystals de Magnetische Systemen van het Geheugen van de Directe Toegankelijkheid Kan (MRAM) Verbeteren
How Magnetic Cobalt Nanocrystals Can Improve Magnetic Random-Access Memory (MRAM) Systems

Het hart van een STT-MRAM-device is een magnetische tunneljunctie waarin een dunne diëlektrische laag ge-sandwichet wordt tussen een magnetische vaste laag en een magnetische vrije laag.
The core element of an STT-MRAM device is a magnetic tunnel junction in which a thin dielectric layer is sandwiched between a magnetic fixed layer and a magnetic free layer.

De Bedrijven zoals Samsung, Toshiba, IBM, Hitachi en Motorola zijn betrokken allen bij de ontwikkeling van MRAM.
Companies such as Samsung, Toshiba, IBM, Hitachi and Motorola are all involved in the development of MRAM.

In deze context werkt imec aan MRAM- en ‘resistive’ RAM-concepten.
Imec is working there on MRAM and resistive RAM (RRAM) approaches.