Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
According to one embodiment of the present invention, a multifunction 4-bit/1-cell nonvolatile fusion memory device comprises: a semiconductor substrate; a first tunneling oxide and a second tunneling oxide; a first charge trap region and a second charge trap region; a third tunneling oxide and a fourth tunneling oxide; a third charge trap region and a fourth charge trap region; a fifth tunneling oxide and a sixth tunneling oxide; a fifth charge trap region and a sixth charge trap region; a blocking oxide; a first gate; a first insulating oxide and a second insulating oxide; a resistance change region; a second gate; and a source and a drain.
French[fr]
Conformément à un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif de mémoire de fusion non volatile 4 bits/1 cellule multifonction comprend : un substrat semi-conducteur; un premier oxyde à effet tunnel et un deuxième oxyde à effet tunnel; une première région de piégeage de charges et une deuxième région de piégeage de charges; un troisième oxyde à effet tunnel et un quatrième oxyde à effet tunnel; une troisième région de piégeage de charges et une quatrième région de piégeage de charges; un cinquième oxyde à effet tunnel et un sixième oxyde à effet tunnel; une cinquième région de piégeage de charges et une sixième région de piégeage de charges; un oxyde bloquant; une première grille; un premier oxyde isolant et un second oxyde isolant; une région à changement de résistance; une seconde grille et une source et un drain.
Korean[ko]
본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 4 비트/1셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자는 반도체 기판, 제 1 터널링 옥사이드와 제 2 터널링 옥사이드, 제 1 전하 포획 영역과 제 2 전하 포획 영역, 제 3 터널링 옥사이드와 제 4 터널링 옥사이드, 제 3 전하 포획 영역과 제 4 전하 포획 영역, 제 5 터널링 옥사이드와 제 6 터널링 옥사이드, 제 5 전하 포획 영역과 제 6 전하 포획 영역, 블로킹 옥사이드, 제 1 게이트, 제 1 절연 옥사이드와 제 2 절연 옥사이드, 저항 변화 영역, 제 2 게이트 및 소오스와 드레인을 포함한다.