Besonderhede van voorbeeld: -1944562305827995438

German

Die Druckschrift US 2004/0076051 A1 offenbart mehrere Verfahren zur Herstellung einer programmierbaren, resistiv schaltenden Speicherzelle, bei denen zwischen zwei Elektroden eine Schicht aus aktiven Material angeordnet wird.

English

The document US 2004/0076051 A1 discloses several methods for the preparation of a programmable, resistive switching memory cell in which a layer of active material is placed between two zu ermöglichen.