Metadata
Author: EurLex-2
Data
Danish[da]
Dette programs overordnede maal er at tilvejebringe teknologier til digitale integrerede kredsloeb i galliumarsenid , hvori der som aktive kredsloebselementer anvendes GaAs-MESFET , transistorer med hoej elektronmobilitet ( HEMT/TEGFET ) og heterojunction bipolaere transistorer ( HJBT ) .
German[de]
GESAMTZIEL DIESES PROGRAMMS IST DIE FESTLEGUNG DIGITALER TECHNOLOGIEN ZUR HERSTELLUNG VON GAAS-IS UNTER VERWENDUNG VON GAAS-MESFET , TRANSISTOREN MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT ( HEMT/TEGFET ) UND BIPOLAREN HETEROÜBERGANGSTRANSISTOREN ( HBT ) ALS AKTIVE SCHALTKREISELEMENTE .
English[en]
THE OVERALL OBJECTIVE OF THIS PROGRAMME IS TO ESTABLISH GALLIUM ARSENIDE DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGIES USING THE GAAS MESFET , HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS ( HEMT/TEGFET ) AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS ( HBT ) AS THE ACTIVE CIRCUIT ELEMENTS .
French[fr]
L'OBJECTIF GENERAL DE CE PROGRAMME EST D'ETABLIR DES TECHNOLOGIES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES NUMERIQUES EN ARSENIURE DE GALLIUM QUI UTILISENT LES MESFET AS GA , LES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE ( HEMT/TEGFET ) ET LES TRANSISTORS BIPOLAIRES HETEROJONCTION ( HBT ) COMME ELEMENTS ACTIFS DES CIRCUITS .
Dutch[nl]
De algemene doelstelling van dit programma vormt de ontwikkeling van galliumarsenide digitale geïntegreerde schakelingtechnologieën met gebruikmaking van GaAs-MESFET-transistoren met hoge elektronenmobiliteit ( HEMT/TEGFET ) en heterojunctie bipolaire transistoren ( HBT ) als actieve elementen van de schakeling .