Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The process combines the use of patterned excimer laser annealing, dopant-saturated spin-on glass (21), silicide contact structures (18, 19), and interference effects created by thin dielectric layers to produce source and drain junctions (23, 24) that are ultrashallow in depth but exhibit low sheet and contact resistance.
French[fr]
Le procédé employé combine l'utilisation du recuit au laser excimère modelé, du dépôt par rotation de verre (21) saturé en impuretés, de structures (18, 19) de contact en siliciure et des effets d'interférence créés par de fines couches diélectriques, en vue de la fabrication de jonctions (23, 24) de sources et de drains qui possèdent une très faible épaisseur mais présentent une faible résistance de couche et de contact.