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Author: patents-wipo
Data
English[en]
The internal transistor includes: a first gate electrode (103a); a first impurities region (106a) containing first impurities; and a first inner side wall spacer (107a) and a first outer side wall spacer (109a) formed on the side surface of the first gate electrode.
French[fr]
Le transistor interne comprend : une première électrode (103a) de grille ; une région (106a) de premières impuretés contenant des premières impuretés ; ainsi qu’une première entretoise (107a) de paroi latérale intérieure et une première entretoise (109a) de paroi latérale extérieure, formées sur la surface latérale de la première électrode de grille.
Japanese[ja]
半導体装置は、第1のゲート電極103a、第1の不純物を含む第1の不純物領域106a、並びに第1のゲート電極の側面上に形成された第1の内側サイドウォールスペーサ107a及び第1の外側サイドウォールスペーサ109aを有する内部トランジスタと、第2のゲート電極103b、第1の不純物と同一導電型の第2の不純物を含む第2の不純物領域106b、並びに第2のゲート電極103bの側面上に形成された第2の内側サイドウォールスペーサ107b及び第2の外側サイドウォールスペーサ109bを有する入出力トランジスタとを備えている。