Besonderhede van voorbeeld: -2986792164955106651

English

All NAND Flash memory contained in Flash storage devices degrades in its ability to reliably store bits of data with every program or erase (P/E) cycle of a NAND Flash memory cell until the NAND Flash blocks can no longer reliably store data. At that point, a degraded or bad block is removed from the user addressable storage pool and the logical block address (or LBA) is moved to a new physical address on the NAND Flash storage array.

Spanish

Toda memoria flash NAND contenida en dispositivos de almacenamiento flash experimenta degradación en su capacidad para almacenar confiablemente bits de datos, con cada ciclo de programación o borrado (P/B) de una celda de memoria flash NAND, hasta el punto en que la memoria flash NAND ya no puede almacenar datos confiablemente; en este punto se remueve un bloque degradado o dañado de la acumulación de almacenamiento direccionable por parte del usuario, y la dirección lógica del bloque (LBA) es desplazada a una nueva dirección física sobre el arreglo de almacenamiento de memoria flash NAND.