Metadata
Author: patents-wipo
Data
German[de]
Es wird ein Plasma-Ätzverfahren zur Reinigung seitlich freiliegender pn-Übergänge von Halbleiterelementen, insbesondere Leitungsdioden (16), nach dem Zusammenlöten des entsprechenden Halbleiterchips (18) mit Anschlusselementen (17, 19) vorgeschlagen, bei dem als Ätzgase Fluorverbindungen eingesetzt werden.
English[en]
Proposed is a plasma-beam etching process for cleaning laterally exposed p-n junctions in semiconductor components, in particular power diodes (16), after welding the semiconductor chips (18) concerned to connector elements (17, 19).
French[fr]
La présente invention propose un procédé d'attaque chimique au plasma pour le nettoyage de jonctions p-n latéralement dégagées d'éléments semi-conducteurs, en particulier de diodes de puissance (16), la puce semi-conductrice correspondante (18) ayant été assemblée par brasage avec des éléments de connexion (17, 19), des composés fluorés étant utilisés comme gaz d'attaque.