Metadata
Author: EurLex-2
Data
Bulgarian[bg]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Полупроводников модул на електронен превключвател в корпус: — състоящ се от IGBT транзисторен чип (биполярен транзистор с изолиран гейт) и диоден чип върху една или повече изводни рамки (lead frames), — за напрежение 600 V или 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Czech[cs]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Polovodičový modulový spínač v obalu: — sestávající z čipu IGBT a diodového čipu na jednom nebo více olověných rámečcích — pro napětí 600 V nebo 1 200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Danish[da]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Halvledermodulafbryder anbragt i en indkapsling: — bestående af en IGBT-transistorchip og en diodechip på en eller flere leadframes, — til en driftsspænding på 600 V eller 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
German[de]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Halbleitermodulschalter in Gehäuse — bestehend aus einem IGBT-Transistor-Chip und einem Diodenchip auf einem oder mehreren Leadframes — für eine Spannung von 600 V oder 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Greek[el]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Διακόπτης ενότητας ημιαγωγού εντός θήκης: — αποτελούμενος από IGBT πλινθίο κρυσταλλοτριόδου και πλινθίο διόδου επί ενός ή περισσοτέρων πλαισίων, — για τάση 600 V ή 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
English[en]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Semiconductor module switch in a casing: — consisting of an IGBT transistor chip and a diode chip on one or more lead frames, — for a voltage of 600 V or 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Spanish[es]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Interruptor para módulo semiconductor alojado en una carcasa: — consistente en un chip de transistor IGBT y un chip de diodo sobre una o varias rejillas de conexión, — para una tensión de 600V o 1200V | 0 % | 31.12.2015 |
Estonian[et]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Pooljuhtmoodullüliti korpuses: — koosneb IGPT (isoleeritud paisuga bipolaartransistor) transistori kiibist ja dioodi kiibist ühel või mitmel väljaviiguraamil, — pingele 600 V või 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Finnish[fi]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Puolijohdemoduulikytkin, koteloitu — jossa on eristettyhilainen bipolaaritransistori- (IGBT-) -siru ja diodisiru yhdessä tai useammassa johdinkehyksessä (lead frame) — joka on 600:n tai 1 200 V:n jännitettä varten | 0 % | 31.12.2015 |
French[fr]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Interrupteur de module semiconducteur contenu dans un boîtier: — consistant en une puce transistor IGBT et une puce de diodes sur une ou plusieurs grilles de connexion, — pour une tension de 600 V ou de 1 200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Hungarian[hu]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Félvezetős modulkapcsoló foglalatban: — egy vagy több szerelőkereten elhelyezett IGBT-tranzisztorcsipből és diódacsipből, — 600 V vagy 1200 V feszültségre | 0 % | 2015.12.31 |
Italian[it]
ex 8535 90 00ex 8536 50 80 | 3083 | Interruttore modulare a semiconduttore in apposito alloggiamento: — costituito da un microprocessore a transistor IGBT e da un microprocessore a diodo su uno o più telai conduttori (lead frames), — per una tensione di 600 V o 1200 V | 0% | 31.12.2015 |
Lithuanian[lt]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Puslaidininkių modulio jungiklis korpuse: — sudarytas iš dvipolių tranzistorių su izoliuota užtūra (angl.IGTB) lusto ir diodų lusto, sumontuotas ant vieno ar daugiau išvadų rėmų, — skirtas 600V arba 1200V įtampai | 0 % | 2015.12.31 |
Latvian[lv]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Korpusā iebūvēts pusvadītāja moduļa slēdzis, — kas sastāv no IGBT tranzistora mikroshēmas un diožu mikroshēmas uz vienas vai vairākām svina skavām, — 600 V vai 1200 V spriegumam | 0 % | 31.12.2015 |
Maltese[mt]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Swiċċ semikonduttur ta’ modulu f’kejsing: — li jikkonsisti f’ċippa transister IGBT u ċippa ta’ dajowd fuq qafas taċ-ċomb wieħed jew aktar, — għal vultaġġ ta’ 600 V jew ta’ 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Dutch[nl]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Halfgeleiderschakelmodules in een behuizing: — bestaande uit een IGBT-schakeling en een diodeschakeling op een of meer bedradingsframes, — voor een spanning van 600V of 1200V | 0 % | 31.12.2015 |
Polish[pl]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Włącznik modułu półprzewodnikowego w obudowie: — składający się z chipa tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT) i chipa diody na jednej lub więcej ramek wyprowadzeniowych, — dla napięcia 600 V lub 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Portuguese[pt]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Comutador de módulo de semicondutores, num invólucro: — constituído por um chip de transístor IGBT, um chip de díodos e um ou vários quadros de ligações, — para uma tensão de 600 V ou de 1200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Romanian[ro]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Modul semiconductor de comutare încastrat : — constând dintr-un cip de tranzistor IGBT si un cip de diodă cuplate la unul sau mai multe terminale, — destinat funcționării la o tensiune de 600 sau 1200V | 0 % | 31.12.2015 |
Slovak[sk]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Polovodičový spínací modul v puzdre: — pozostávajúci z čipu s IGBT tranzistorom a čipu s diódou na jednom alebo viacerých olovených rámoch, — určený pre napätie 600 V alebo 1 200 V | 0 % | 31.12.2015 |
Slovenian[sl]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Polprevodniško stikalo v ohišju: — ki ga sestavljata čip tranzistorja IGBT in čip diode na eni ali več vodilnih ohišjih, — za napetost 600V ali 1200V | 0 % | 31.12.2015 |
Swedish[sv]
ex 8535 90 00 ex 8536 50 80 | 30 83 | Halvledarkopplingsmodul i ett hölje: — bestående av ett transistorchip (bipolär transistor med isolerad grind – IGBT) och ett diodchip på en eller flera anslutningsramar (lead frames), — för en spänning på 600V eller 1200V | 0 % | 31.12.2015 |