Metadata
Author: cordis
Data
German[de]
Obwohl einige von ihnen während des anschließenden Wachstums behoben werden, sind die verbleibenden Defekte im obersten Bereich der SiC-Schicht für die schlechten elektrischen Eigenschaften der nachfolgend angefertigten Geräte verantwortlich.
English[en]
Although, some of them are annihilated during subsequent growth, the remaining defects at the uppermost part of the SiC film are responsible for poor electrical characteristics of devices formed subsequently.
Spanish[es]
Aunque algunos de ellos se aniquilan en el cultivo siguiente, los defectos que permanecen en la parte superior de la película de SiC son los responsables de las malas características eléctricas de los dispositivos que se forman posteriormente.
French[fr]
Bien que certains d'entre eux soient annihilés lors de la phase de croissance ultérieure, les défauts restants dans la partie supérieure du film SiC sont responsables des propriétés électriques déficientes des dispositifs formés par la suite.
Italian[it]
Sebbene alcuni di questi siano annullati durante la crescita successiva, quelli che restano nella parte superiore del film SiC sono responsabili delle scadenti caratteristiche elettriche dei dispositivi successivamente formati.