Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Process for fabricating GaAs FETs with an ion implanted channel layer (13) wherein an ion implanted substrate (11) is capless annealed under an arsine overpressure, and a relatively shallow portion (25) of the outer surface (15) of the substrate (11) in the active layer is removed for the deposition of a gate metallic electrode (27).
French[fr]
Procédé de fabrication de GaAs FET (transistor à effet de champ à l'arséniure de galium) avec une couche de canaux à implantation ionique (11) où un substrat à implantation ionique (1) est recuit sans couvercle à une surpression d'arsine, et une partie relativement peu profonde (25) de la surface extérieure (15) du substrat (11) dans la couche active est retirée pour le dépôt d'une électrode métallique de porte (27).