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Author: EurLex-2
Data
Danish[da]
b) fremstillet ved N-MOS (herunder H-MOS) teknologi (Dual N-MOS Field Effect Transistor, Dual N-MOS FET) med en drain-source gennembrudsspaending paa 20 V og derover, en drain-stroem paa ikke over 3,5 A og en effektsaetning paa ikke over 2 W,
German[de]
b) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einer Drain-Source- Durchbruchspannung von 20 V oder mehr, einem Drainstrom von nicht mehr als 3,5 A und einer Verlustleistung von nicht mehr als 2 W,
Greek[el]
b) τεχνολογίας N-MOS (στην οποία περιλαμβάνεται και H-MOS), με πτωτική τάση υποδοχής-πηγής 20 V ή περισσότερο, που λειτουργεί με ρεύμα υποδοχής που δεν υπερβαίνει τα 3,5 A και με βαθμό απώλειας που δεν υπερβαίνει τα 2 W,
English[en]
b) of N-MOS (including H-MOS) technology (Dual N/H-MOSFET), having a drain-to-source breakdown-voltage of 20 V or more, operating with a drain-current not exceeding 3,5 A and with a dissipation rate not exceeding 2 W,
Spanish[es]
b) en tecnología N-MOS (incluyendo H-MOS), con una tensión de ruptura drenaje-fuente igual o superior a 20 V, que funciona a una corriente de drenaje inferior o igual a 3,5 A y una capacidad de disipación no superior a 2 W,
French[fr]
b) réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), ayant une tension de claquage drain-source de 20 V ou plus, fonctionnant avec un courant drain n'excédant pas 3,5 A et un pouvoir de dissipation n'excédant pas 2 W,
Italian[it]
b) in tecnologia N-MOS (compresa H-MOS), con scarica distruttiva pozzo-sorgente di 20 V o più, funzionante con corrente di pozzo non superiore a 3,5 A e con potenza di dissipazione non superiore a 2 W,
Dutch[nl]
b) vervaardigd volgens de NMOS- of HMOS-techniek, met een afvoer-bron onderbrekingsspanning (Breakdown voltage) van 20 V of meer, werkend met een afvoerstroom van niet meer dan 3,5 A en een dissipatievermogen van niet meer dan 2 W,
Portuguese[pt]
b) realizado em tecnologia N-MOS (incluindo H-MOS), tendo uma tensão de ruptura dreno-fonte igual ou superior a 20 V, uma corrente de dreno inferior ou igual a 3,5 A e uma capacidade de dissipação não superior a 2 W,