Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Thereafter, the IGBT section and the diode section are annealed with a pulsed laser beam having a short pulse-width, whereby a surface layer portion at a shallower location than the second injection region is caused to melt and crystallize in the entire region comprising the IGBT section and the diode section.
French[fr]
Ensuite, la section IGBT et la section de diode sont recuites avec un faisceau laser pulsé ayant une largeur d'impulsion courte, moyennant quoi une partie de couche de surface au niveau d'une position moins profonde que la seconde région d'injection est amenée à fondre et à cristalliser dans toute la région comprenant la section IGBT et la section de diode.
Japanese[ja]
その後、IGBT区画及びダイオード区画を、パルス幅の短いパルスレーザビームでアニールすることにより、IGBT区画及びダイオード区画の全域において、第2の注入領域より浅い表層部を溶融させ、結晶化させる。