Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Since the lateral side of the lowermost semiconductor particle layer, which is placed closest to the conductive substrate, is not covered, an effective generation area is not reduced, and the effect of the light-scattering layer is maximized, such that generation efficiency may be increased.
French[fr]
Puisque la face latérale de la couche de particules semi-conductrices inférieure, qui est placée au plus près du substrat conducteur, n'est pas couverte, une aire de génération efficace n'est pas réduite, et l'effet de la couche de diffusion de la lumière est maximisé, de sorte que le rendement de génération peut être accru.
Korean[ko]
투광성 기판, 도전성 기판, 도전성 기판위에 위치하는 이층이상의 다층 광전극층, 다층 광전극층 중 최상부에 위치한 광산란층, 전해질층, 촉매전극층, 지지기판으로 형성되고 봉지재로 밀봉되는 염료감응태양전지에 있어서, 광산란층은 도전성 기판과 접하고 있는 최하위 광전극층의 상단면 외곽과 접하면서 나머지 광전극층 전체를 피복하도록 구성하는 경우,투광성 기판쪽으로 입사하여 전류생성과정을 거치지 않고 반도체 미립자층을 통과한 빛이 광산란층에서 반사되어 반도체 미립자층으로 재입사하여 전류 생성 과정을 다시 수행하게 되므로, 광전변환율을 증가시킬 수 있고, 도전성 기판에서 가장 가까운 곳에 위치한 최하층 반도체 미립자 층의 옆면을 감싸지 않았으므로, 유효발전면적이 줄어들지 않으면서도 광산란층의 효과를 최대한 나타내어 발전 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.