Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The method is provided for manufacturing a semiconductor device wherein a source diffusion layer, a drain diffusion layer and a columnar semiconductor layer are hierarchically arranged in a vertical direction on a substrate, and a gate is arranged on a side wall of the columnar semiconductor layer.
French[fr]
Le procédé est utilisé pour la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, une couche de diffusion de source, une couche de diffusion de drain et une couche de semi-conducteurs en colonnes étant hiérarchiquement agencées dans une direction verticale sur un substrat, et une grille étant agencée sur une paroi latérale de la couche de semi-conducteurs en colonnes.
Japanese[ja]
本発明によれば、ソース拡散層、ドレイン拡散層及び柱状半導体層が基板上に垂直方向に階層的に配置され、前記柱状半導体層の側壁にゲートが配置される半導体装置を製造する方法であって、 柱状半導体層を埋め込むように第1の絶縁膜もしくは導電膜を成膜する工程と、上記第1の絶縁膜もしくは導電膜を柱状半導体層上部に形成されたストッパーにより終点検出を行い平坦化する工程と、第2の絶縁膜もしくは導電膜を成膜する工程と、第2の絶縁膜もしくは導電膜のエッチングすると共にそのエッチング時のエッチングレートを算出する工程と、上記第2の絶縁膜もしくは導電膜をエッチバックする際の上記第2の絶縁膜もしくは導電膜のエッチングレートを用いて第1の絶縁膜もしくは導電膜のエッチングの終点検出を行うことにより、第1の絶縁膜もしくは導電膜のエッチング量を制御する工程を含む製造方法が提供される。