Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
A method is provided for the integration of an optical gain material into a Complementary metal oxide semi conductor device, the method comprising the steps of: configuring a workpiece from a silicon wafer upon which is disposed an InP wafer bearing an epitaxy layer; mechanically removing the InP substrate; etching the InP remaining on epitaxy layer with hydrochloric acid; depositing at least one Oxide pad on revealed the epitaxy layer; using the Oxide pad as a mask during a first pattern etch removing the epitaxy to an N level; etching with a patterned inductively coupled plasma (ICP) technique; isolating the device on the substrate with additional pattern etching patterning contacts, appl ing the contacts.
French[fr]
Procédé d’intégration d’un matériau à gain optique dans un dispositif à métal-oxyde-semiconducteur complémentaire, le procédé comprenant les étapes consistant à : préparer une pièce à usiner à partir d’une plaquette de silicium sur laquelle est disposée une plaquette InP portant une couche épitaxiale; éliminer par voie mécanique le substrat InP; attaquer à l’acide chlorhydrique l’InP subsistant sur la couche épitaxiale; déposer au moins un plot d’oxyde sur la couche épitaxiale mise à découvert; utiliser le plot d’oxyde comme un masque pour éliminer l’épitaxie jusqu’à un niveau N par une première attaque de sensibilisation sélective; attaquer par une technique de sensibilisation sélective à plasma inductif (ICP); isoler le dispositif sur le substrat en formant des contacts par une attaque de sensibilisation sélective supplémentaire; appliquer les contacts.