Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Further, the technical idea of the present invention pertains to a zinc oxide-based p-type semiconductor thin film using hydrogen, comprising: a substrate; a Zn1-XMXO (0.07≤x≤0.2) zinc oxide-based thin film formed on the substrate and doped with a transition metal (M); a metal thin film formed on the zinc oxide-based thin film; and hydrogen fed to the zinc oxide-based thin film using the mixture gas containing hydrogen.
French[fr]
En outre, l'idée technique de la présente invention concerne une couche mince de semi-conducteur de type p à base d'oxyde de zinc utilisant de l'hydrogène, comprenant : un substrat ; une couche mince à base d'oxyde de zinc Zn1-XMXO (0,07 ≤ x ≤ 0,2) formée sur le substrat et dopée avec un métal de transition (M) ; une couche mince métallique formée sur la couche mince à base d'oxyde de zinc ; et de l'hydrogène alimenté vers la couche mince à base d'oxyde de zinc à l'aide du gaz de mélange contenant de l'hydrogène.
Korean[ko]
그리고, 본 발명은, 기판과; 상기 기판 상면에 형성되고 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0.07≤x≤0.2) 산화아연계 박막과; 상기 산화아연계 박막 상면에 형성된 금속 박막; 그리고, 수소가 함유된 혼합가스를 이용하여 상기 산화아연계 박막 내부로 주입된 수소;를 포함하여 구성되는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막을 또한 기술적 요지로 한다.