Metadata
Author: not-set
Data
Bulgarian[bg]
Хетероструктурни полупроводникови устройства като транзистори с висока мобилност на електроните (ТВМЕ), хетеробиполярни транзистори (ХБТ), източници на кванти и свръхрешетки;
Czech[cs]
heterostrukturních polovodičových součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT), součástky na bázi kvantových jam a supermřížek,
Danish[da]
Heterostrukturelle halvlederindretninger som f.eks. transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), heterobipolære transistorer (HBT), quantum well eller superlatticeindretninger;
German[de]
Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices;
Greek[el]
Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).
English[en]
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Spanish[es]
Dispositivos semiconductores de hetero‐estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones (<HEMT>), transistores bipolares de heterounión (<HBT>), dispositivos de pozo cuántico o de super redes;
Estonian[et]
heterostruktuuriga pooljuhtseadmed nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT) kvantkaev- ja supervõreseadmed;
Finnish[fi]
Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit;
French[fr]
dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux;
Hungarian[hu]
Heterogén szerkezetű félvezető eszközök, például nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorok (HEMT), hetero-bipolár tranzisztorok (HBT), kvantumforrás vagy szuperrács-eszközök;
Italian[it]
dispositivi semiconduttori a struttura eterogenea quali i transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT), i transistori etero bipolari (HBT), i dispositivi a pozzo quantico e a super reticolo;
Lithuanian[lt]
įvairiatarpių (draustinių juostų) darinių puslaidininkinius įtaisus, pavyzdžiui, didelio elektronų judrio tranzistorius (HEMT), įvairiatarpius dvipolius tranzistorius (HBT), įtaisus su kvantinėmis duobėmis ir supergardelėmis;
Latvian[lv]
heterostruktūras pusvadītāju ierīces, piemēram, augstas elektronu mobilitātes tranzistori (HEMT), heterobipolārie tranzistori (HBT), ierīces, kurās izmanto kvantu potenciāla bedres vai superrežģus;
Maltese[mt]
Apparat semikonduttur b'eterostruttura bħal transisters b'mobbiltà għolja tal-elettroni (HEMT), transisters eterobipolari (HBT), apparat b'ħofra kwantistika u b'super rettikolat;
Dutch[nl]
halfgeleiderelementen met een heterostructuur, zoals transistors met hoge elektronenmobiliteit (HEMT), hetero bipolaire transistors (HBT), elementen met een kwantumval of superrooster;
Polish[pl]
Heterostrukturalnych urządzeń półprzewodnikowych, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), urządzenia nadstrukturalne oraz ze studnią kwantową;
Portuguese[pt]
Dispositivos de semicondutores com hétero‐estrutura como transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transístores hétero‐bipolares (HBT), e dispositivos de poços quânticos ou de super‐redes;
Romanian[ro]
Dispozitive semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele hetero-bipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate;
Slovak[sk]
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
Slovenian[sl]
heterostrukturnih polprevodniških elementov, kot so na primer tranzistorji z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), heterobipolarni tranzistorji (HBT), elementi s kvantnimi potencialnimi jamami in elementi s superkristalno mrežo;
Swedish[sv]
Halvledarelement med ovanlig uppbyggnad ("hetero-structure") såsom transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT), hetero-bipolära transistorer (HBT), quantum well och super lattice element.