Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a CMOS image sensor, capable of preventing hillock defects caused by a wire lifting phenomenon in a CMOS image sensor.
French[fr]
Procédé de fabrication de capteur d'image CMOS, permettant d'éviter les défauts de type monticule résultant d'un phénomène de d'arrachement de câble dans un capteur d'image CMOS.
Korean[ko]
본 발명은 CMOS 이미지 센서에 있어서, 배선 들뜸 현상에 의해 발생되는 힐록(hillock)형 결함을 방지할 수 있는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 제1 금속배선이 형성된 기판을 준비하는 단계와, 상기 제1 금속배선 상에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막을 식각하여 상기 제1 금속배선이 일부 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀의 내부면을 따라 상기 층간 절연막 상에 완충막을 형성하는 단계와, 열처리 공정을 실시하는 단계와, 상기 완충막을 식각하여 상기 콘택홀 내측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서를 포함하는 상기 층간 절연막 상부면을 따라 장벽 금속층을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 매립되도록 상기 장벽 금속층 상에 콘택 플러그를 형성하는 단계와, 상기 콘택 플러그와 접속되도록 상기 층간 절연막 상에 제2 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.