Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a reverse conducting semiconductor element, in which an IGBT element region and a diode element region utilize a body region having a common impurity concentration, so that the injection efficiency of the positive holes or electrons of the diode element region can be adjusted.
French[fr]
L'invention porte sur un élément à semi-conducteur à conduction inverse, dans lequel une région d'élément de transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) et une région d'élément de diode utilisent une région de corps ayant une concentration en impureté commune, de sorte que l'efficacité d'injection des trous positifs ou des électrons de la région d'élément de diode peut être ajustée.
Japanese[ja]
IGBT素子領域とダイオード素子領域が共通の不純物濃度を有するボディ領域を利用する逆導通半導体素子において、ダイオード素子領域の正孔あるいは電子の注入効率を調整できる技術を提供する。