Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The method for fabricating a solid-state image pickup device using charged-coupled devices (CCD) including an n-type impurity doped region and buried charged-coupled devices (BCCD) region formed on a surface of the semiconductor substrate.
French[fr]
Pour la fabrication d'un capteur d'images transistorisé, on utilise des dispositifs à transfert de charge CCD comprenant une région dopée par impuretés de type n et des dispositifs à transfert de charge enfouis (BCCD) formés sur la surface d'un substrat semi-conducteur.