Metadata
Author: cordis
Data
German[de]
Der inhärente Tunnelmagnetowiderstand auf Heterostrukturen auf Basis von Bariumtitanat (BaTiO3) und NiFeO3 kann die Grundlage für magnetoresistive Direktzugriffsspeicher bilden, eine neue Art von nicht-flüchtigen Speichern.
English[en]
The inherent tunnel magnetoresistance found on heterostructures based on barium titanate (BaTiO3) and NiFeO3 can form the basis for magnetoresistive random access memory, a new type of non-volatile memory.
Spanish[es]
La magnetorresistencia túnel inherente a las heteroestructuras a base de titanato de bario (BaTiO3) y NiFeO3 puede servir como base para memorias de acceso aleatorios, un nuevo tipo de memoria no volátil.
French[fr]
La magnétorésistance tunnel inhérente trouvée dans les hétérostructures de titanate de baryum (BaTiO3) et de ferrite de bismuth (BiFeO3) est susceptible de fournir un support pour les mémoires vives magnétorésistives, un nouveau type de mémoire non volatile.
Italian[it]
La magnetoresistenza a effetto tunnel intrinseca, scoperta sulle eterostrutture a base di titanato di bario (BaTiO3) e NiFeO3, può costituire la base per una memoria magnetoresistiva ad accesso casuale, un nuovo tipo di memoria non-volatile.
Polish[pl]
Magnetorezystancja tunelowa występująca w heterostrukturach opartych na tytanianie baru (BaTiO3) i NiFeO3 może stać się podstawą dla magnetorezystywnej pamięci RAM, nowego rodzaju pamięci nieulotnej.