Metadata
Author: WikiMatrix
Data
English[en]
The technique is used in semiconductor failure analysis to locate buried diffusion regions, damaged junctions and gate oxide shorts.
Italian[it]
Questa tecnica viene usata nell'analisi dei guasti dei semiconduttori per individuare regioni occultate di diffusione, giunzioni danneggiate e cortocircuiti nell'ossido isolante delle porte (gate).