Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a back-channel etch thin-film transistor (TFT) that does not have an etch stopper layer, wherein an oxide semiconductor layer of the TFT has excellent resistance to an acid etching solution used when forming a source drain electrode, and has excellent stress tolerance.
French[fr]
L'invention concerne un transistor en couches minces (TFT) à gravure arrière du canal qui ne possède pas de couche d'arrêt de gravure, une couche semiconductrice d'oxyde du TFT présentant une excellente résistance à une solution de gravure acide utilisée lors de la formation d'une électrode source drain, et présentant une excellente tolérance au stress.
Japanese[ja]
エッチストッパー層を有しないバックチャネルエッチ型TFTであって、TFTの酸化物半導体層が、ソース-ドレイン電極形成時に使用の酸エッチング溶液に対する耐性に優れ、かつストレス耐性に優れるTFTを提供する。