Besonderhede van voorbeeld: -5342605087453047839

Danish

Specialgasser indeholder forskellige kemiske molekyler, som elektronikindustrien bruger i fremstillingen af halvledere på forskellige niveauer i fremstillingsprocessen (såkaldt elektroniske specialgasser): F.eks. anvendes silan (SiH4) til aflejring af et rent lag silicium eller siliciummonoxyd på printpladens overflade og arsin (ASH3) og phosphin (PH3) til dotering (tilføjelse af urenhedsmateriale på printpladens overflade for at ændre halvlederegenskaberne), nitrogentrifluorid (NF3), hexafluorethan (C2F6) samt kultetrafluorid (CF4) til ætsning (for at fjerne materiale fra printpladens overflade og dermed skabe mønstret for det integrerede kredsløb), wolframhexafluorid (WF6) til metaludfældning og hexafluorethan og nitrogentrifluorid som rensemiddel.

German

Spezialgase enthalten verschiedene chemische Moleküle, die von der Elektronikindustrie benötigt werden, um Halbleiter herzustellen, die wiederum für die verschiedenen Stufen des Fertigungsprozesses benötigt werden (so genannte elektronische Spezialgase): beispielsweise wird Silan (SiH4) für das Auftragen einer Schicht aus reinem Silikon oder Siliziumoxid auf die Oberfläche der Wafer verwendet, Arsin (ASH3) und Phosphin (PH3) für das Dotieren (Einbringen eines Fremdstoffes in die Wafer, um die Eigenschaften des Halbleiters zu verändern), Nitrogentrifluorid (NF3), Hexafluoroethan (C2F6) und Carbontetrafluorid (CF4) für das Ätzen (Entfernung von Material von der Oberfläche der Wafer, um ein integriertes Schaltbild zu erzeugen), Wolframhexafluorid (WF6) für Metallablagerungen und Hexafluoroethan und Nitrogentrifluorid als Reinigungsmittel.

English

Speciality gases contain various chemical molecules required by the electronics industry to manufacture semiconductors to be used in the different steps of the manufacturing process (so-called electronic speciality gases - ESGs): for example Silane (SiH4) is used for deposition of a layer of pure silicon or silicon oxide on the surface of the wafer, Arsine (ASH3) and Phosphine (PH3) for doping (addition of dopants on the surface of the wafer in order to change semiconductor properties), Nitrogentrifluoride (NF3), Hexafluoroethane (C2F6) and Carbontetrafluoride (CF4) for etching (in order to remove materials on the surface of the wafer to create the integrated circuit pattern), Tungstenhexafluoride (WF6) for metal deposition and Hexafluoroethane and Nitrogentrifluoride as cleaning agents.

Finnish

Erikoiskaasuissa on erilaisia kemiallisia molekyylejä, joita elektroniikkateollisuus tarvitsee puolijohteiden eri valmistusvaiheissa (elektroniikkateollisuuden erikoiskaasut). Näitä kaasuja ovat silaani (SiH4), jota käytetään puolijohdekiekon päällystämiseksi puhtaalla silikonilla tai silikonioksidilla, arsiini (ASH3) ja fosfiini (PH3), joita käytetään seostuksessa (seostusaineiden lisääminen puolijohdekiekon pinnalle puolijohdeominaisuuksien muuttamiseksi), typpitrifluoridi (NF3), heksafluorietaani (C2F6) ja hiilitetrafluoridi (CF4) syövytykseen (aineen poistamiseksi puolijohdekiekon pinnalta pintakuvion luomiseksi) ja volframiheksafluoridi (WF6) pinnan päällystämiseksi metallilla. Heksafluorietaania ja typpitrifluoridia käytetään myös puhdistusaineina.

French

Les gaz spéciaux contiennent diverses molécules chimiques dont l'industrie électronique a besoin pour fabriquer des semi-conducteurs et qui sont utilisées à différents stades du procédé de fabrication (gaz spéciaux destinés à l'industrie électronique): par exemple, le silane (SiH4) sert à déposer une couche de silicium pur sur la surface de la tranche, l'arsine (ASH3) et la phosphine (PH3) sont utilisés pour le dopage (ajout de dopants sur la surface de la tranche en vue de modifier les propriétés du semi-conducteur), le trifluorure d'azote (NF3), l'hexafluoroéthane (C2F6) et le tétrafluorure de carbone (CF4) pour le corrodage (afin d'enlever les matériaux de la surface de la tranche pour créer le circuit intégré), l'hexafluorure de tungstène (WF6) pour le dépôt de métal et l'hexafluoroéthane et le trifluorure d'azote comme agents nettoyants.

Italian

I gas speciali contengono varie molecole chimiche necessarie all'industria dell'elettronica per la fabbricazione di semiconduttori nelle diverse fasi del processo produttivo (i c.d. gas speciali per l'elettronica): ad esempio il silano (SiH4) è utilizzato per il deposito di uno strato di silicio puro o di ossido di silicio sulla superficie del wafer, l'arsina (ASH3) e la fosfina (PH3) sono utilizzate per il "drogaggio" (aggiunta di agenti dopanti sulla superficie del wafer che servono a modificare le proprietà del semiconduttore), il trifluoruro di azoto (NF3), l'esafluoroetano (C2F6) ed il tetrafluoruro di carbonio (CF4) per l'acidatura (per eliminare materiali dalla superficie del wafer e creare un circuito integrato), l'esafluoruro di tungsteno (WF6) per il deposito di metallo e l'esafluoroetano ed il trifluoruro di azoto sono utilizzati nel processo di pulizia.

Dutch

Speciale gassen bevatten diverse chemische moleculen die de elektronicasector nodig heeft in de verschillende fases van de productie van halfgeleiders (de zgn. speciale gassen voor de elektronicasector - ESG's). Zo wordt silaan (SiH4) gebruikt om een laagje zuiver silicium of siliciumoxide op een schijfje (wafer) aan te brengen, arsine (ASH3) en fosfine (PH3) voor doteren (toevoeging van doteringsmiddelen op de schijfoppervlakte om de halfgeleidereigenschappen te wijzigen), stikstoftrifluoride (NF3), hexafluoro-ethaan (C2F6) en koolstoftetrafluoride (CF4) voor etsen (om materialen van de schijfoppervlakte te verwijderen om het geïntegreerde schakelpatroon aan te maken), wolframhexafluoride (WF6) voor opdampen metaal en hexafluoro-ethaan en stikstoftrifluoride als zuiveringsmiddel.

Portuguese

Os gases especiais contêm diversas moléculas químicas que são necessárias no sector electrónico para o fabrico de semicondutores, sendo utilizados nas diferentes etapas do processo de produção (os denominados gases especiais para electrónica): por exemplo, o silano (SiH4) é utilizado para a deposição de uma camada de silicone puro ou óxido de silicone sobre a superfície da pastilha, a arsina (AsH3) e a fosfina (PH3) para a impregnação (adição de dopantes sobre a superfície da pastilha com vista a alterar as propriedades do semicondutor), trifluoreto de azoto (NF3), hexafluoretano (C2F6) e tetrafluoreto de carbono (CF4) para efeitos de gravação (a fim de suprimir materiais da superfície da pastilha com vista a criar o padrão de circuito integrado), o tungsténio (WF6) para a deposição de metais e o hexafluoretano e trifluoreto de azoto enquanto agentes de limpeza.

Swedish

Arsin (ASH3) och fosfin (PH3) används för dopning (dopämnen tillförs waferkortets yta för att ändra halvledarens egenskaper). Kvävetrifluorid (NF3), hexafluoretan (C2F6) och koltetrafluorid (CF4) används för etsning (för att avlägsna material på waferkortets yta för att skapa det integrerade kretsmönstret). Volframhexafluorid (WF6) används för metalldeponering och hexafluoretan och kvävetrifluorid används som rengöringsmedel.