Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Broadband infrared light is radiated to a silicon wafer which has a superior light transmission property, so that the depth of the via hole may be measured from the light which is reflected from each boundary surface of the wafer and the interference signal of reference light.
French[fr]
Une lumière infrarouge en bande large est projetée sur une plaquette en silicium qui possède une propriété de transmission de la lumière supérieure, de sorte que la profondeur du trou d'interconnexion puisse être mesurée à partir de la lumière qui est réfléchie depuis chaque surface limite de la plaquette et du signal d'interférence d'une lumière de référence.
Korean[ko]
본 발명의 비아홀 측정 장치는 광대역의 적외선 광을 생성하는 광원부와 상기 광원부로부터 생성된 광을 실리콘 웨이퍼에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼로부터 반사된 빛의 간섭 신호의 스펙트럼 주기로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이를 측정하는 간섭계를 포함한다.