Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The method comprises the following steps: providing a substrate (100), forming a grating stack on the substrate (100) and forming source/drain regions (110) in the substrate (100); etching the source/drain regions (110), so as to form grooves (111); forming contact layers (112) on the surfaces of the etched source/drain regions (110); forming stress generation material layers (113) in the grooves (111); and depositing an interlayer dielectric layer (300) and forming a contact plug which is in contact with the stress generation material.
French[fr]
Le procédé comporte les étapes suivantes : mettre en place un substrat (100) ; former un empilement de réseau sur le substrat (100) et former des régions (110) de source / de drain dans le substrat (100) ; graver les régions (110) de source / de drain, de façon à former des rainures (111) ; former des couches (112) de contact sur les surfaces des régions gravées (110) de source / de drain ; former des couches (113) de matériau de génération de contrainte dans les rainures (111) ; et déposer une couche diélectrique intercalaire (300) et former un plot de contact qui est en contact avec le matériau de génération de contrainte.
Chinese[zh]
提供一种半导体结构及其制造方法,该方法包括以下步骤:提供一个衬底(100),在衬底(100)上形成栅堆叠,并在衬底(100)之中形成源/漏区(110);刻蚀源/漏区(110),以形成沟槽(111);在刻蚀后的源/漏区(110)的表面上形成接触层(112);在沟槽(111)内形成应力产生材料层(113);沉积层间介质层(300),并形成与应力产生材料相接触的接触塞。