Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The boundaries of the gain region (31) are also designed to have a very low refractive index gradient so as to minimize reflection of light off of the boundaries back into the gain region (31). The gain structure (33) may be embodied in a semiconductor laser oscillator or semiconductor laser amplifier depending on whether the input facet (34) is or is not, respectively, anti-reflection coated.
French[fr]
Les limites de la région de gain (31) sont également conçues pour avoir un gradient d'indice de réfraction très bas, de manière à réduire au minimum la réflexion de la lumière par les limites et son renvoi vers la région de gain (31). ladite structure de gain (33) peut être incorporée dans un oscillateur laser à semi-conducteurs ou dans un amplificateur laser à semi-conducteurs selon que la facette d'entrée (34) respectivement a subi ou n'a pas subi un traitement antireflet.