Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
To this end, a method for manufacturing a junction barrier Schottky diode of the present invention comprises the steps of: forming a n- epitaxial layer on an upper surface of a n+ substrate; forming a p+ junction barrier grid and a p+ floating field guard ring by injecting a p- type dopant on an upper surface of the n- epitaxial layer; forming a cathode electrode on a lower surface of the n+ substrate; forming a passivation film which covers some of an outermost junction barrier grid of the p+ junction barrier grid and the p+ floating field guard ring; forming a trench in an interior of the p+ junction barrier grid by etching the p+ junction barrier grid through the interior thereof; and forming an anode electrode on the upper surface of the n- epitaxial layer.
Korean[ko]
이를 위해, 본 발명은 접합 장벽 쇼트키 다이오드의 제조방법으로서, n+ 기판의 상면에 n- 에피층을 형성하는 단계; 상기 n- 에피층의 상면에 p형 도펀트를 주입하여 p+ 접합 장벽 그리드 및 p+ 플로팅 필드 가드 링을 형성하는 단계; 상기 n+ 기판의 하면에 캐소드 전극을 형성하는 단계; 상기 p+ 접합 장벽 그리드 중 최외곽 접합 장벽 그리드의 일부 및 상기 p+ 플로팅 필드 가드 링을 커버하는 패시베이션(passivation) 막을 형성하는 단계; 상기 p+ 접합 장벽 그리드의 내부를 관통되게 에칭하여 p+ 접합 장벽 그리드의 내부에 트렌치(trench)를 형성하는 단계; 및 상기 n- 에피층의 상부에 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접합 장벽 쇼트키 다이오드 제조방법을 제공한다.