Metadata
Author: EurLex-2
Data
Bulgarian[bg]
„Субстрати“, посочени в 3C005 с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.
Czech[cs]
„Substráty“ uvedené v položce 3C005, které mají alespoň jednu epitaxiální vrstvu karbidu křemíku, nitridu gallitého, nitridu hlinitého nebo aluminium gallium nitridu.
Danish[da]
»Substrater« specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.
German[de]
„Substrate“, erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumgalliumnitrid.
Greek[el]
«Υποστρώματα» που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.
English[en]
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Spanish[es]
"Sustratos" incluidos en el artículo 3C005 con al menos una capa epitaxial de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN).
Estonian[et]
Punktis 3C005 nimetatud „põhimikud”, millel on vähemalt üks epitaksiline ränikarbiidi, galliumnitriidi, alumiiniumnitriidi või alumiinium-galliumnitriidi kiht.
Finnish[fi]
3C005 kohdassa tarkoitetut ”substraatit”, joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, gallium- nitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
French[fr]
“Substrats” visés au paragraphe 3C005 comportant au moins une couche épitaxiale de carbure de silicium, de nitrure de gallium, de nitrure d’aluminium ou de nitrure de gallium d’aluminium.
Irish[ga]
“Foshraitheanna” atá sonraithe in 3C005, a bhfuil ar a laghad sraith eipealuadrach amháin iontu de chairbíd shileacain, de nítríd ghailliam, de nítríd alúmanaim, nó de nítríd ghailliam alúmanaim.
Croatian[hr]
„Supstrati” navedeni u 3C005 s najmanje jednim epitaksijalnim slojem iz silicijeva karbida, galijeva nitrida, aluminijeva nitrida ili aluminij galijeva nitrida.
Hungarian[hu]
A 3C005. pontban meghatározott „szubsztrátumok”, amelyek legalább egy epitaxiális szilícium-karbid-, gallium-nitrid-, alimínium-nitrid- vagy alumínium-gallium-nitrid-réteggel rendelkeznek.
Italian[it]
“Substrati” specificati in 3C005 aventi almeno uno strato epitassiale di carburo di silicio, nitruro di gallio, nitruro di alluminio o nitruro di gallio alluminio.
Lithuanian[lt]
3C005 nurodyti „padėklai“, turintys bent vieną silikono karbido, galio nitrido, aliuminio nitrido ar aliuminio galio nitrido epitaksinį sluoksnį.
Latvian[lv]
3C005. pozīcijā minētie “substrāti” ar vismaz vienu silīcija karbīda, gallija nitrīda, alumīnija nitrīda vai alumīnija gallija nitrīda epitaksiālo slāni.
Maltese[mt]
“Sottostrati” speċifikati fi 3C005 b’mill-anqas saff epitassjali wieħed tal-karbur tas-silikon, nitrur tal-gallju, nitrur tal-aluminju jew nitrur tal-aluminju gallju.
Dutch[nl]
De in 3C005 bedoelde „substraten” met ten minste één epitaxiale laag siliciumcarbide, galliumnitride, aluminiumnitride of aluminiumgalliumnitride.
Polish[pl]
„Podłoża” wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.
Portuguese[pt]
"Substratos" especificados em 3C005 com pelo menos uma camada de carboneto de silício, nitreto de gálio, nitreto de alumínio ou nitreto de gálio-alumínio.
Romanian[ro]
„Substraturile” menționate la 3C005 cu cel puțin un strat epitaxial de carbură de siliciu, nitrură de galiu, nitrură de aluminiu sau nitrură de galiu-aluminiu.
Slovak[sk]
„Substráty“ uvedené v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
Slovenian[sl]
„Substrati“ iz točke 3C005 z vsaj eno epitaksialno plast iz silicijevega karbida, galijevega nitrida, aluminijevega nitrida ali aluminijevega galijevega nitrida.
Swedish[sv]
”Substrat” som omfattas av avsnitt 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.