Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a method for forming a nanopattern, and more particularly, to a method for forming a nanopattern, comprising the following steps: 1) depositing a polymer resist on a substrate; 2) performing an oxygen plasma processing on the substrate on which the polymer resist is deposited, so as to form a polymeric mother pattern for the selective attachment of a self-mask material during the formation of a self-mask in the next step 3); and 3) performing fluorine plasma processing such that the self-mask material can be selectively attached onto the polymeric mother pattern, and a nanopattern can be formed by reactive ion etching.
French[fr]
La présente invention concerne un procédé de formation d'un nanomodèle, et plus particulièrement, un procédé de formation d'un nanomodèle, comprenant les étapes suivantes: 1) déposer une réserve de polymère sur un substrat; 2) effectuer un traitement par plasma d'oxygène sur le substrat sur lequel la réserve de polymère est déposée, de manière à former un modèle parent polymérique pour l'attachement sélectif d'un matériau d'auto-masque durant la formation d'un auto-masque dans l'étape suivante 3); et 3) effectuer un traitement par plasma de fluor de telle sorte que le matériau d'auto-masque puisse être sélectivement attaché sur le modèle parent polymérique, et qu'un nanomodèle puisse être formé par gravure par ions réactifs.
Korean[ko]
본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및 3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법을 포함한다.