Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The inventive method for producing semiconductor quantum dots involves synthesising nanocrystal nuclei from a chalcogen-containing precursor and a precursor containing a group II or IV metal using an organic solvent and a surface modifier. The method is characterised in that (aminoalkyl)trialkoxisilanes are used as the organic solvent, nuclear fusion is carried out at a permanent temperature ranging from 150 to 250°C for 15 seconds to 1 hour and in that the reaction mixture containing the nanocrystal nuclei is additionally treated by UV-light for 1-10 minutes and by ultrasound for 5-15 minutes.
French[fr]
L’invention consiste à obtenir des points quantiques semi-conducteurs de types en synthétisant de noyaux de nano-cristaux à partir d’un précurseur contenant du chalcogène et un précurseur contenant des métaux de groupes II ou IV, en utilisant un diluant organique et un modificateur de surface, qui se distingue en ce que l’on utilise en tant que modificateur de surface des (aminoalkyl)trialcoxysylanes, la synthèse de noyaux s’effectue à température constante comprise entre 150 et 250°C pendant 15 sec à 1 h; on applique ensuite un traitement supplémentaire du mélange de réaction contenant des noyaux de nano-cristaux par une lumière UV pendant 1 à 10 min et par ultrasons pendant 5 à 15 min.
Russian[ru]
Сущность способа: получение полупроводниковых квантовых точек типов, включающее синтез ядер нанокристаллов из прекурсора, содержащего халькоrен, и прекурсора, содержащего металл Il или IV группы, с использованием органического растворителя и модификатора поверхности, отличающийся тем, что в качестве последнего используют (aминoaлкил)тpиaлкoкcиcилaны, синтез ядер осуществляют при постоянной температуре в пределах от 150 до 250°C в течение от 15 с до 1 часа и дополнительно проводят обработку реакционной смеси, содержащей ядра нанокристаллов, УФ-светом в течение 1-10 мин и ультразвуком в течение 5-15 мин.