Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention can implement packing material which protects a semiconductor wafer from the electromagnetic wave radiation (figure 1) by using a tungsten compound as a main component of an epoxy molding compound (EMC), and can improve total performance of the integrated package material such as the closest thermal expansion coefficient to the semiconductor wafer (figure 2), the relatively high thermal conductivity in comparison with the silicon (figure 3) and the like.
French[fr]
La présente invention permet d'appliquer un matériau d'habillage qui protège une tranche de semi-conducteur du rayonnement d'ondes électromagnétiques (figure 1) à l'aide d'un composé du tungstène comme composant principal d'un composé de moulage époxyde (EMC), et permet d'améliorer la performance totale du matériau de boîtier intégré telle que le coefficient de dilatation thermique le plus proche par rapport à la tranche de semi-conducteur (figure 2), la conductivité thermique relativement élevée par comparaison avec le silicium (figure 3) et similaire.
Korean[ko]
본 발명은 핵전자기파 방사선으로부터 전자장비의 핵심부품에 해당하는 반도체 집적회로(Integrated Circuit)를 보호하기 위한 일체형 패키지의 봉지재(Packing Material)에 대한 기술로써, 텅스텐 화합물을 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)의 주 재료로 사용하면 전자기파 방사선으로부터 반도체 웨이퍼(Wafer)를 보호할 수 있는 봉지재를 구현할 수 있을뿐만 아니라(도1), 반도체 웨이퍼와 가장 근접한 열팽창계수(도2) 및 실리콘에 비해 상대적으로 높은 열전도도(도3) 등 일체형 패키지 봉지재의 전체적인 성능까지 향상시킬 수 있다.