Metadata
Author: EurLex-2
Data
Bulgarian[bg]
Бележка: 3Е003.b) не контролира технологии за транзистори с висока мобилност на електроните (НЕМТ/ТВМЕ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GНz, и хетеросвързани биполярни транзистори (НВТ/ХБТ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GНz.
Czech[cs]
Poznámka: Položka 3E003.b. nezahrnuje technologie pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronu (HEMT), které pracují pri frekvencích nižších než je 31,8 GHz, a pro heteroprechodné bipolární tranzistory (HBT), které pracují pri frekvencích nižších než 31,8 GHz.
Danish[da]
Note: 3E003.b lægger ikke eksportkontrol på teknologi til transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz, og hetero-bipolære transistorer (HBT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz.
German[de]
Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht ‚Technologie‘ für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz.
Greek[el]
Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η τεχνολογία για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.
English[en]
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Spanish[es]
Nota: El subartículo 3E003.b. no somete a control la tecnología para los transistores de alta movilidad de electrones (“HEMT”) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión (“HBT”) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
Estonian[et]
Märkus: Punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.
Finnish[fi]
Huom.: 3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.
French[fr]
Note: L'alinéa 3E003.b. ne vise pas les technologies pour les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz.
Hungarian[hu]
Megjegyzés: A 3E003.b. nem vonja ellenőrzés alá a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorokra (HEMT) és a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő hetero-bipoláris tranzisztorokra (HBT) vonatkozó technológiákat.
Italian[it]
Nota: 3E003.b. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT) in grado di funzionare a frequenze inferiori a 31,8 GHz e per transistori bipolari ad eterogiunzione (HBT) in grado di operare a frequenze inferiori a 31,8 GHz.
Lithuanian[lt]
Pastaba: 3E003.b. netaikoma technologijai, skirtai didelio elektronu judrio tranzistoriams (HEMT), veikiantiems žemesniais negu 31,8 GHz dažniais, ir ivairiatarpiams dvipoliams tranzistoriams (HBT), veikiantiems žemesniais negu 31,8 GHz dažniais.
Latvian[lv]
Piezīme. Saskaņā ar 3E003.b. kontroli neattiecina uz augsta elektronu kustīguma tranzistoriem (HEMT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz, un heterobipolārie tranzistori (HBT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz.
Maltese[mt]
Nota: 3E003.b. ma jikkontrollax teknologija ghal transisters b'mobbiltà gholja ta' l-elettroni (HEMT) li jahdmu fi frekwenzi aktar baxxi minn 31,8 GHz u transisters bipolari etero-gonta (HBT) li jahdmu fi frekwenzi aktar baxxi minn 31,8 GHz.
Dutch[nl]
Noot: In 3E003.b is niet bedoeld technologie voor hoge-elektronenmobiliteittransistoren (HEMT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz en hetero-junction bipolaire transistoren (HBT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz.,
Polish[pl]
Uwaga: Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrola technologii dla tranzystorów o wysokiej ruchliwosci elektronów (HEMT), pracujacych na czestotliwosciach nizszych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujacych na czestotliwosciach nizszych od 31,8 GHz.
Portuguese[pt]
Nota: 3E003.b. não abrange a tecnologia para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz.
Slovak[sk]
Poznámka: Podla 3E003.b. sa neriadi technológia pre tranzistory s vysokou pohyblivostou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31.8 GHz, a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory, ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31.8 GHz.
Slovenian[sl]
Opomba: Predmet nadzora tocke 3E003.b ni tehnologija za tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), ki delujejo na frekvencah, nižjih od 31,8 GHz in heter-bipolarne tranzistorje (HBT), ki delujejo na frekvencah, nižjih kot 31,8 GHz.
Swedish[sv]
Anm.: Avsnitt 3E003.b omfattar inte kontrollteknik för transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.