Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
Provided is a pulsed laser annealing device that allows greater margins in pulsed energy density when annealing semiconductor films by projecting pulsed laser light thereon, without increasing the appropriate pulsed energy density.
French[fr]
L'invention concerne un dispositif de recuit au laser pulsé qui offre de plus grandes marges de densité d'énergie pulsée lors du recuit de films semi-conducteurs par projection de lumière laser pulsée, sans augmentation de la densité d'énergie pulsée appropriée.
Japanese[ja]
半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。