Metadata
Author: cordis
Data
German[de]
Galliumnitrid (GaN) und seine ternären Legierungen von Aluminium oder Indium stellen die vielversprechendsten Halbleiter für die Herstellung optoelektronischer, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte dar.
English[en]
Gallium nitride (GaN) and its ternary alloys of aluminium or indium are the most promising semiconductors for fabricating optoelectronic, high-frequency and high-power devices.
Spanish[es]
El nitruro de galio (GaN) y sus aleaciones ternarias de aluminio o indio son los semiconductores más prometedores para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos de alta frecuencia y potencia.
French[fr]
Le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages ternaires d'aluminium et d'indium sont les semi-conducteurs les plus prometteurs pour fabriquer des dispositifs optoélectroniques à haute fréquence et haute puissance.
Italian[it]
Il nitruro di gallio (GaN) e le sue leghe ternarie di alluminio o indio costituiscono i semiconduttori più promettenti per la fabbricazione di dispositivi optoelettronici, ad alta frequenza e alta potenza.
Polish[pl]
Azotek galu (GaN) i jego trójskładnikowe stopy z aluminium lub indem to najbardziej obiecujące półprzewodniki do wyrobu urządzeń optoelektronicznych, o wysokiej częstotliwości i dużej mocy.