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Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a method for treating defects at a junction area of a semiconductor device and comprises a process of: depositing an electrode by growing a p-Ge layer on a substrate; forming an n+ Ge area by means of ion implantation on the p-Ge layer or by means of doping in-situ and etching on the p-Ge layer, or depositing an oxide layer, patterning, etching, and doping in-situ on the p-Ge layer; forming an oxide layer for capping; and heat treating at 600̊C to 700̊C for 1 to 3 hours.
French[fr]
La présente invention concerne une méthode de traitement des défauts au niveau d'une zone de jonction d'un dispositif semi-conducteur et consiste à effectuer le procédé suivant : déposer une électrode en faisant croître une couche de p-Ge sur un substrat ; former une zone de n+ Ge par implantation d'ions sur la couche de p-GE ou en dopant in situ et en gravant sur la couche de p-GE, ou en déposant une couche d'oxyde, en formant un motif, en gravant, et en dopant in situ sur la couche de p-Ge ; former une couche d'oxyde de couverture ; et effectuer un traitement thermique entre 600 °C et 700 °C pendant 1 à 3 heures.
Korean[ko]
본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600°C~700°C에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.