Metadata
Author: patents-wipo
Data
German[de]
Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf AlxGa1-xN basierende Zwischenschicht (5), wobei 0
English[en]
The semiconductor layer sequence (1) comprises at least one intermediate layer (5) based on AlxGa1-xN, where 0
French[fr]
La superposition de couches semiconductrices (1) comporte également au moins une couche intermédiaire (5) à base de AlxGa1-xN, sachant que 0