Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a resistive random access memory device and to a method for manufacturing same.
French[fr]
La présente invention concerne un dispositif de mémoire vive résistive et son procédé de fabrication.
Korean[ko]
본 발명은 서로 일정 간격을 두고 적층되고 수평 방향으로 연장된 복수의 수평 전극; 복수의 수평 전극들 사이에 각각 형성된 층간 절연막; 적층된 복수의 수평 전극들과 층간 절연막들을 수직 방향에서 관통하여 수평 전극과 교차점을 갖도록 형성되는 복수의 수직 전극; 및 층간 절연막과 수평 전극 사이에서 수평 전극을 감싸는 형태로 그 단면이 U형을 갖도록 형성되고, 수직 전극과 접하는 면이 산소 처리되어 수직 전극과 접하는 면의 산소 조성비가 수평 전극과 접하는 면의 산소 조성비보다 높도록 형성되어 문턱 스위칭 특성과 메모리 스위칭 특성을 갖도록 형성된 금속 산화물막을 포함한다.