Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present invention relates to a single electron transistor operating at room temperature and a manufacturing method for same.
French[fr]
La présente invention concerne un transistor à un seul électron fonctionnant à température ambiante et un procédé de fabrication de ce transistor.
Korean[ko]
본 발명은 상온동작 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노구조물을 이용한 양자점 또는 실리사이드 양자점을 형성하여 그 상부에 게이트가 위치하도록 형성함으로써, 게이트에 의해 터널링 장벽에 미치는 영향을 최소화하여 효과적인 양자점의 전위제어 및 작동효율을 향상할 수 있는 상온동작 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.