Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The photoelectric conversion layer has a diffraction peak corresponding to a lattice spacing (d) of 1.6 nm to 2.0 nm in an X-ray diffraction profile.
French[fr]
La couche de conversion photoélectrique a un pic de diffraction correspondant à un pas (d) de 1,6 à 2,0 nm dans un profil de diffraction de rayons X.
Japanese[ja]
光電変換素子を、陽極(2)と、陰極(6)と、バルクへテロ接合を構成するp型有機半導体材料(4A)及びn型有機半導体材料(4B)を含み、前記p型有機半導体材料として主鎖にカルバゾール環、フルオレン環又はシクロペンタジチオフェン環を含む非晶性の高分子化合物を含み、前記n型有機半導体材料として非晶性のフラーレン誘導体を含む光電変換層(4)とを備え、光電変換層が、X線回折プロファイルにおいて面間隔d=1.6nm~2.0nmに対応する回折ピークを持つものとする。