Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The impurity concentrations of the N+ type semiconductor region (12), the N+ type semiconductor region (13), and the P type semiconductor region (14) are higher than the impurity concentration of the P- type semiconductor layer (11), the avalanche region is a region sandwiched between the N+ type semiconductor region (13) and the P type semiconductor region (14), said avalanche region being in the P- type semiconductor layer (11), and the N+ type semiconductor region (12) has an area that is smaller than that of the N+ type semiconductor region (13) in a plan view.
French[fr]
Les concentrations d'impuretés de la région semi-conductrice du type N+ (12), de la région semi-conductrice du type N+ (13) et de la région semi-conductrice du type P (14) sont plus élevées que la concentration d'impuretés de la couche semi-conductrice du type P- (11), la région d'avalanche est une région prise en sandwich entre la région semi-conductrice du type N+ (13) et la région semi-conductrice du type P (14), ladite région d'avalanche se trouvant dans la couche semi-conductrice du type P- (11), et la région semi-conductrice du type N+ (12) a une aire qui est plus petite que celle de la région semi-conductrice du type N+ (13) dans une vue plane.
Japanese[ja]
光電変換により発生した電荷をアバランシェ領域で増倍するフォトダイオード(1)であって、界面(S1)と界面(S2)とを有するP-型半導体層(11)と、P-型半導体層(11)の内部であって界面(S1)に接するN+型半導体領域(12)と、P-型半導体層(11)の内部であってN+型半導体領域(12)と接続されたN+型半導体領域(13)と、N+型半導体領域(13)と界面(S2)との間に配置されたP型半導体領域(14)とを備え、N+型半導体領域(12)、N+型半導体領域(13)、及びP型半導体領域(14)の不純物濃度は、P-型半導体層(11)の不純物濃度よりも高く、アバランシェ領域は、P-型半導体層(11)の内部においてN+型半導体領域(13)とP型半導体領域(14)とで挟まれた領域であり、N+型半導体領域(12)は、平面視において、N+型半導体領域(13)よりも面積が小さい。