Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
An amount of solid and/or gaseous Si corresponding to at least 100 At % of the overall In/Cu layer is brought into contact with said layer and the compound is formed by means of a heat reaction at Se vapour pressure in a neutral atmosphere.
French[fr]
On met au moins 100 % At de la couche totale In/Cu de Se sous forme solide et/ou gazeuse en contact avec la couche et on forme le composé par réaction thermique à la pression de vapeur du Se dans une atmosphère neutre.