Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
In the method, the impurity injected in an outer base region (161) is changed from boron to boron fluoride, and the injection energy and amount are defined in specific ranges, thereby effectively solving the problems of significantly increased collector resistance and an apparently reduced maximum cut-off frequency Ft parameter for SiGe-HBT devices on a thin-film SOI.
French[fr]
Dans le procédé, l'impureté injectée dans une région de base extérieure (161) est modifiée du bore en fluorure de bore, et l'énergie et la quantité d'injection sont définies dans des plages spécifiques, résolvant ainsi efficacement les problèmes de résistance de collecteur considérablement accrue et d'un paramètre Ft de fréquence de coupure maximale apparemment réduit pour les dispositifs SiGe-HBT sur SOI en couche mince.
Chinese[zh]
该方法通过将在外基区(161)注入的杂质由硼改为氟化硼,并将注入能量和剂量限定在特定范围内,有效解决了薄膜SOI上的SiGe-HBT器件的集电极电阻大幅增加和最高截止频率Ft参数明显降低的问题。