Metadata
Author: patents-wipo
Data
English[en]
The present disclosure relates to a group III nitride semiconductor light emitting element comprising: a plurality of group III nitride semiconductor layers comprising an active layer which generates light by using electron-hole recombination, and group III nitride semiconductor layers respectively disposed on the upper and lower parts of the active layer; a light-transmitting electrode having an upper surface and a lower surface, which is positioned on top of the plurality of group III nitride semiconductor layers and is formed with a recess such that the upper layer is removed while the lower layer is unexposed; and projections which are formed on the floor surface of the recess and scatter the light generated in the active layer.
French[fr]
La présente invention concerne un élément semi-conducteur électroluminescent en nitrure du groupe III, comprenant : une pluralité de couches semi-conductrices en nitrure du groupe III comprenant une couche active générant de la lumière au moyen d'une recombinaison électron-trou et des couches semi-conductrices en nitrure du groupe III disposées respectivement sur le dessous et le dessus de la couche active, une électrode de transmission de lumière possédant une surface supérieure et une surface inférieure, placée au sommet de la pluralité de couches semi-conductrices en nitrure du groupe III et formée avec un décrochement, de sorte que la couche supérieure est éliminée et que la couche inférieure n'est pas exposée, et des saillies formées sur le fond du décrochement et diffusant la lumière générée dans la couche active.
Korean[ko]
본 개시는 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층과 활성층의 상,하부에 각각 배치되는 3족 질화물 반도체층을 포함하는 복수의 3족 질화물 반도체층; 복수의 3족 질화물 반도체층 위에 위치하며, 상면과 하면을 가지는 투광성 전극으로, 상면이 제거되되 하면이 들어나지 않도록 홈이 형성되어 있는 투광성 전극; 그리고, 홈의 저면에 형성되고 활성층에서 생성된 빛을 스캐터링하는 돌기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.